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經濟日報 記者李珣瑛／新竹報導
富采（3714）昨（19）日宣布，與德國ALLOS Semiconductors締結策略合作，攜手推動8吋矽基氮化鎵LED磊晶片（GaN-on-Si LED epitaxial wafer）量產，加速MicroLED於AR等更多高整合顯示器應用發展。
ALLOS Semiconductorstors是德國知識產權許可公司，定位為「適用於LED、電源和射頻應用的矽基氮化鎵基板技術的領先供應商」。富采擁有全球領先的高階LED磊晶製造技術與產能，這項合作象徵MicroLED產業供應鏈共同邁向更加成熟的重要里程碑。
富采表示，與ALLOS攜手開發GaN-on-Si LED磊晶片，結合富采在LED結構上的深厚技術與ALLOS矽基氮化鎵緩衝結構技術，不僅亮度與能效可比美傳統藍寶石基板成長的氮化鎵LED，更透過磊晶片尺寸擴大至8吋以上，大幅提升單片產出面積與製程效率。
此外，其超小像素間距可滿足近眼顯示的高解析需求，並具備高度矽晶圓製程相容性與量產可行性。
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