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台達電新品 搶 AI 商機

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經濟日報 記者劉芳妙/台北報導

台達電(2308)集團昨(27)日宣布,旗下子公司碇基半導體推出最新雙面散熱GaN氮化鎵場效應電晶體,通過嚴格的DMTBF(Demonstrated Mean Time Between Failures)測試,驗證碇基獨有的雙面散熱元件FET-E6007PD020其專利雙面散熱結構能有效分離電氣和熱,解決高功率產品熱導問題,外界看好,有助未來搶攻AI商機。

台達電表示,該系列產品已應用於台達和威剛合作開發的鈦金級電源供應器XPG FUSION 1600W上,以及半導體後段封裝廠及電源IC廠。台達表示,該產品在20萬小時長時間運作下,仍可維持優越效能,凸顯出產品高信賴性與可靠度。

台達電在2022年宣布成立碇基半導體,揮軍第三代半導體領域。由於第三代半導體具高效率、低能耗、散熱快等特性,台達電希望藉由掌握上游端設計,提供關鍵半導體零組件,掌握第三代半導體應用趨勢。去年碇基增資計畫獲得中美晶、日商羅姆半導體(Rohm)及力智電子支持。目前碇基資本額約7億元。

碇基總經理邢泰剛表示,寬能隙半導體氮化鎵(GaN)元件的應用為電力電子帶來革命性突破,運用GaN優異的物理特性,實現高效能和小型化。

除此款650V雙面散熱的GaN元件FET-E6007PD020,碇基將持續拓展產品線,提供更多樣化的氮化鎵元件,滿足不同設計需求。

台達電電源及系統事業群總經理陳盈源表示,DMTBF測試結果證明碇基產品的可靠性和穩定性,可實現更高的功率密度和更強大的節能效果。這款產品易於實現頂部散熱應用,並具有降低電熱耦合風險、促進散熱效能等特點。

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