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華邦電營運回穩 法人敲進

華邦電董事長焦佑鈞。(本報系資料庫)
華邦電董事長焦佑鈞。(本報系資料庫)

本文共1095字

經濟日報 文/張瑞益

全球記憶體產業在今年第2季之後開始修正,經過近兩季的市況調整及庫存去化之後,記憶體市況第4季逐漸回穩,近日市場氛圍轉向,傳出明年第1季記憶體可望走出谷底。11月以來,國內投信法人持續買超主攻利基型記憶體市場的華邦電(2344)(2344),看好該公司明年營運展望。

日前根據外媒報導,韓國三星電子計劃在今後兩年內停止生產DDR3晶片,該報導並指出,三星電子作為4Gb DDR3內存的最大供應商,決定停止對低密度DRAM內存的生產能力的投資,並將更多產能轉向利潤更高的CIS的生產上,在未來DDR3供給將持續減少的情況下,市場預期,DDR3價格後市再下跌空間有限。

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華邦電先前也表示,利基型DRAM後市的市況來看,低容量價格相對穩定,今年第4季到明年第1季會先略休息,需求會較先前相對趨緩些,主要是因客戶要調節庫存,另外半導體供應鏈的長短料問題也影響需求。華邦電認為,未來一季左右價格即使修正,幅度應該也不大,但以明年來看,明年供需平衡、價格是穩,估明年全年的價格不會比今年差。

華邦電認為,在需求強勁及產能增加有限情況下,預期利基型DRAM、NOR Flash、SLC NAND供不應求情況會延續到2022年;在編碼型快閃記憶體部分,低容量SLC NAND及NOR Flash缺貨情況也會延續到2022年。

市場法人認為,第4季記憶體市場需求放緩,但華邦電利基型DRAM及NOR及NAND Flash主攻AI或IoT等邊緣運算、車用電子等應用,由於目前利基型產品需求仍相對強勁下,市場法人也看好華邦電第4季營收可望仍維持高檔表現。

此外,華邦高雄新廠將在明年投產,將是推升營運成長的重要動能,華邦高雄新廠將在明年第4季進行量產,可望大幅增加DRAM產出華邦高雄新廠廠房面積為台中廠兩倍,預計於明年上半年進行第一階段裝機DRAM機台,明年第3季進行試產,第4季進行量產。此外,華邦目前台中廠有25K產能於DRAM 業務投片,且新廠用先進製程投片推估將增加DRAM產出五成以上,2023年將有較顯著營收貢獻。

籌碼面上,11月8日至12月3日為止,近20個交易日中,投信法人買超19個交易日,對該股偏多操作態勢明顯,而在股價表現上,華邦電在投信法人持續買超下,股價近期緩步走高,本周股價高點來到33.15元,寫下逾三個多月的新高。

華邦電累計今年前三季營收735.74億元,年增82.41%,毛利率41.81%,年增14.92個百分點,前三季稅後純益94億元,年增8.85倍,今年前三季每股稅後純益為2.36元。

選股原則

5日均價大於10日均價,10日均價大於20日均價,三大法人近五日聯手買超逾3.6萬張,入選本周熱股。

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