南亞科衝10奈米 將提前試產
DRAM大廠南亞科（2408）獲得美系資料中心大廠伺服器用DRAM大單之後，公司決定加速10奈米高階製程研發腳步，除擴增資本支出之外，也增加研發人力，預期第一個世代的1A製程，可在下半年試產；10奈米第二世代1B，也可望提前在明年下半年試產。
據了解，南亞科的1A及1B，甚至第三世代1C，都將以切入毛利率較高的伺服器用DRAM和標準型DRAM為重心，公司將藉製程推動，達到營收、獲利穩步提升的目標。
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南亞科已決定在10奈米製程技術自主，不再向美光尋求技術授權，凸顯公司決策層認為已累積堅強的研發實力，未來可藉由擴充研發人力，在10奈米製程寫下技術自主的新頁。
南亞科在台塑集團支援下，董事會先前已通過將資本支出由92億元上調至157.6億元，用以建置10奈米試產線，衝刺10奈米製程技術自主研發。
南亞科10奈米分成A、B、C三個世代，和美光原本的20奈米相比，就是南亞科採用的記憶儲存細胞（Cell）可進行微縮，因此可由1A逐步推進至1B再到1C。
南亞科總經理李培瑛日前在法說會中透露，南亞科的1A世代已預定今年下半年試產，1B製程技術也開始研發階段，且原訂2022年前試產，但目前看來將會提前在2021年進行。
他並透露，拓展伺服器用DRAM是公司今年努力目標。上半年伺服器用DRAM營收占比約低個位數，今年朝10%目標努力。
法人透露，南亞科伺服器用DRAM，是在向美光取得20奈米授權基礎下，成功以20奈米產生8Gb DDR4 DRAM。這項重大技術突破，也讓南亞科有信心在10奈米達成技術自主。
據了解，南亞科的伺服器用DDR 4 DRAM除了獲北美資料中心大廠驗證並出貨，後續還包括中國大陸客戶。
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