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記憶體不同調 DRAM仍緊NAND恐過剩

2017-12-24 16:45中央社 記者張建中新竹24日電

記憶體明年市況恐將不同調,動態隨機存取記憶體(DRAM)市場仍將持續吃緊,儲存型快閃記憶體(NAND Flash)市場則將於明年上半年轉為供過於求。

DRAM與NAND Flash市場今年都處於供不應求狀態,產品價格同步高漲,只是業界普遍預期,明年DRAM與NAND Flash市況恐將不同調。

記憶體模組廠創見指出,DRAM市場供貨持續吃緊,價格未見鬆動跡象。NAND Flash方面,隨著3D NANDFlash技術日益成熟,生產良率改善,可望填補供貨缺口。

另一記憶體模組廠威剛表示,短期內全球DRAM大廠仍理性看待產能議題,並未有大幅破壞產業生態的計畫,持續正面看待DRAM市況。

NAND Flash方面,威剛指出,隨著供應商3D NANDFlash良率逐步改善,預期明年第1季整體供需將出現轉變。

美國記憶體製造廠美光(Micron)預期,明年DRAM位元供給將增加約20%,市場環境仍將持續健康;NANDFlash位元供給則將增加近50%,供給增加幅度將遠高於DRAM。

NAND DRAM Flash
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