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聯電推新嵌入式Flash製程 東芝可望採用

2017-12-21 18:30中央社 記者張建中新竹21日電

晶圓代工廠聯電宣布,推出40奈米結合SST嵌入式快閃記憶體製程平台,可望獲東芝微處理器(MCU)採用。

聯電自2015年推出55奈米SST嵌入式快閃記憶體製程以來,目前已為客戶生產包括SIM卡、汽車、物聯網與MCU等超過20項產品。

聯電指出,這製程平台具低功耗及高耐久性等特性,數據可保存長達10年之久,適用於汽車、工業、物聯網與消費性等應用領域。

新推出的40奈米SST嵌入式快閃記憶體製程,整體記憶體面積可較55奈米縮小20%至30%,聯電表示,40奈米SST嵌入式快閃記憶體製程平台可望獲東芝MCU採用。

快閃記憶體 MCU 東芝
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