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記憶體Q3產值創新高 NAND明年初恐趨緩

2017-12-01 09:54中央社 記者張建中新竹1日電

市調機構IHS Markit統計,第3季記憶體產值達198億美元,刷新歷史新高紀錄,預期第4季記憶體價格可望維持高檔,只是NANDFlash市場明年初恐將趨緩。

隨著所有終端應用市場全面成長,今年第3季全球半導體產值攀高至1139億美元,季增12%,IHS Markit指出,無線通訊與資料處理是成長最強勁的領域。

IHS Markit表示,隨著智慧手機晶片更趨複雜,並全面支持擴增實境等應用,且高階機種儲存記憶體增加,第3季無線應用市場產值達348億美元,創下歷史新高紀錄,約占整體半導體市場的31%。

IHS Markit預期,第4季無線應用市場產值可望進一步攀高至375億美元,今年總產值將逾1310億美元。

記憶體也是驅動半導體產值成長的主要動能,在行動記憶體與伺服器記憶體需求持續強勁帶動下,第3季動態隨機存取記憶體(DRAM)價量齊揚,產值達198億美元,再締新猷,較先前的最高紀錄高出30億美元。

儲存型快閃記憶體(NAND Flash)第3季價格持平,在手機與固態硬碟(SSD)強勁需求驅動下,產值達142億美元,季增12.9%,同創歷史新高。

IHS Markit預期,第4季記憶體價格仍將維持高檔,無線市場需求也將持續強勁,今年全球半導體產值可望達4289億美元,將年增21%,並將刷新歷史新高紀錄。

只是隨著3D NAND Flash技術持續進展,加上市場即將進入傳統需求淡季,IHS Markit預期,明年初NANDFlash市場恐將趨緩。

半導體 NAND Flash
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