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全球創新指數亞太最佳是南韓 首度挺進排行榜前5名 09:44

Intel發表節點命名 加速封裝技術創新

2021-07-29 09:30經濟日報 彭子豪

英特爾日前揭露其製程與封裝技術的最新路線規劃,並宣布一系列基礎創新,為2025年及其之後的產品注入動力。除首次發表全新電晶體架構RibbonFET外,尚有稱作PowerVia的業界首款背部供電的方案。

英特爾強調迅速轉往下一世代EUV工具的計畫,稱為高數值孔徑(High NA)EUV。英特爾有望獲得業界首款High NA EUV量產工具外,英特爾指出,產業早已意識到目前以奈米為基礎的製程節點命名方式,不符合自1997年起採用閘極長度為準的傳統,為此特公布其製程節點全新的命名結構,創造清晰並具備一致性的架構,給予客戶更為精確的製程節點認知。

英特爾對於製程重新命名。英特爾/提供
英特爾對於製程重新命名。英特爾/提供

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英特爾過去引介過許多業界首創、能夠大量生產製造,並對半導體生態系具有深遠影響的技術,如應變矽、高介電常數金屬閘極及3D鰭式場效電晶體,英特爾正延續這項傳統,持續投資創新技術,甫宣布的一系列最新製程與封裝技術就是最佳證明。英特爾的製造之路自今年3月底執行長基辛格(Pat Gelsinger)揭曉的全新IDM 2.0策略,邁開大步,重點有三。

一、英特爾全球自家工廠是競爭優勢關鍵,可實現產品優化、提高經濟效益和供貨彈性。基辛格再次重申,英特爾將繼續自內部生產多數產品;Intel 4(先前稱為Intel 7奈米)的製程開發進展順利,積極使用EUV技術將可更新架構並簡化流程。除製程創新外,英特爾在封裝技術的領導地位也是重要優勢,透過多個IP或「晶片塊」的組合,提供獨特的客製化產品以滿足運算世界中多樣化客戶的需求。

二、建立在既有長期的關係基礎上,英特爾將持續擴大使用第三方晶圓代工合作夥伴的產能。英特爾正和第三方晶圓代工廠如台積電、三星、格羅方德及聯電擴大既有的合作關係,這將帶來成本優化、效能、時程和供貨所需的更高靈活性和更大規模。

而第三方晶圓代工廠現可製造生產一系列基於英特爾技術的產品,包括通訊、連網、繪圖晶片和晶片組等。英特爾與第三方晶圓代工廠的合作將持續成長,包括採用先進製程技術製造一系列模組化晶片塊在內,並在2023年開始為PC端和資料中心領域提供以英特爾運算為核心的產品。英特爾的2023 CPU產品藍圖包括client端的Meteor Lake和資料中心的Granite Rapids。Meteor Lake和Granite Rapids都將使用基於Intel 4製程的晶片塊,英特爾會持續與台積電合作,為client端和資料中心客戶提供領先的產品。

三、英特爾期望打造世界級晶圓代工廠,以服務全球日益增加的晶片需求。IDM 2.0關鍵的一環就是生產製造,英特爾所採用的製程與封裝技術,將會是全球供應鏈網路的一劑強心針。許多突破性技術是由英特爾在美國奧勒岡州和亞利桑那州研發團隊自主開發,然後轉移至英特爾的大規模生產網路,相關的創新還更進一步吸引生態系夥伴共同深入合作,如ASML、IBM、imec及CEA-Leti,這些先進晶圓製造設備與研究機構,共同協助把製造創新從實驗室帶往生產基地。

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