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經濟日報 記者尹慧中、鐘惠玲／台北報導
台積電（2330）宣布和艾司摩爾（ASML）共同推動轉移升級至12吋光罩，加強利用高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）微影技術之後，英特爾與三星也跟進宣布與艾司摩爾進行一樣的合作。
業界分析，台積電、英特爾、三星都找艾司摩爾強化High NA EUV應用，有助加速半導體生產效率。
三星計劃在2028年前，首度將High NA EUV微影技術導入DRAM量產，代表High NA技術具備支援先進記憶體與邏輯晶片應用的成熟度。 High NA EUV有望延續DRAM的微縮進程藍圖，有助於簡化製程、提升生產效率。
英特爾表示，晶圓代工部門與艾司摩爾合作，加速運用High NA EUV。High NA已應用於英特爾晶圓代工的量產製造。
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