台積電攜手ASML 將於2031年導入High NA EUV 2033年導入量產

本文共847字

2026/09/08 15:32:58

聯合報記者簡永祥／台北即時報導

艾司摩爾與台積今（7）日於BACUS國際光學工程學會（SPIE）先進微影技術研討會前宣布發起產業合作，共同推動轉移升級至12吋光罩，以將高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）微影技術的價值發揮到極致。

雙方約定將於2031年前導入High NA EUV微影設備建立12吋光罩試產線（pilot line），並於2033年前實現微影系統全面就緒，以支援先進製程量產。

據了解，除台積電外，三星和英特爾都採用High NA EUV企業及相關主要供應商均表達參與意願，展現產業對此的廣泛支持。

艾司摩爾表與台積電宣布，共同引領半導體產業轉移升級至更大尺寸的極紫外光（EUV）微影光罩。High NA EUV將自現行的6吋光罩，轉移至更大的12吋光罩，預期將進一步提升晶圓廠的生產力、降低晶片製造成本，並消除需要兩張6吋光罩在High NA EUV曝光時進行拼接的限制，使整個半導體產業受惠。此轉移能讓先進晶片製造服務提供者充分利用High NA EUV的優勢，更提升未來世代先進晶片的成本效益。

艾司摩爾總裁暨執行長Christophe Fouquet表示：「我們預期，隨著元件微縮藍圖的推進， HighNA EUV的採用將逐步提升。初期透過沿用現行的6吋光罩，而後導入12吋光罩以進一步提升設備生產力，讓產業能夠滿足市場對更小、更快、更節能晶片的需求。我們很高興這項合作在初期便獲得半導體製造廠商、光罩廠商、以及合作夥伴的大力支持。」

台積電董事長暨總裁魏哲家表示：「台積公司深信，唯有產業攜手解決複雜問題，才能開創單一企業無法獨力實現的無限可能。藉由匯聚產業價值鏈的專業能力，我們期許透過持續創新來降低門檻，讓先進解決方案得以大規模普及，進而持續傳遞尖端技術的價值。」

台積電表示，公司有意自2030年起，在先進製程量產中導入艾司摩爾的High NA技術。隨著製程技術持續推進，特別是在AI應用帶動電晶體架構日益複雜的趨勢下，台積電預期需要使用High NA EUV 曝光的光罩層數將隨之增加。