ASML關鍵元件供應商TRUMPF：High-NA EUV最慢3年將成為主流

全球EUV雷射光源龍頭TRUMPF（創浦）全球首席技術長Berthold Schmidt今日接受台灣媒體訪問表示，High-NA EUV（高數值孔徑極紫外光微影）設備將是半導體製程的最終發展方向，估計最慢3年，將成為市場主流。

由TRUMPF是全球微影設備龍頭艾司摩爾（ASML）關鍵雷射光源供應商，經營團隊緊密與ASML和台積電、三星及英特爾等晶圓大廠合作，此次釋放的訊號，也意謂三星和英特爾透過更尖端微影設備，拉近與台積電差距。市場也密切關注台積電是否會加速推進1奈米及0.7奈米導入量產腳步，持續拉開與競爭對手差距。

在艾司摩爾選在台積電舉行法說會前率先釋出英特爾已決定採用其最新的High-NA EUV在其18A的製程，用於量產自家代號為Panther Lake 的 Intel Core Ultra Series 3 處理器後，全球High-NA EUV關鍵設備提出High-NA EUV真正放量的時程。

Berthold Schmidt表示，High-NA EUV真正進入大規模量產仍需要時間，主要瓶頸並非設備本身，而是整體晶片設計、生產架構與產業鏈仍以現行Low-NA EUV為主，需要經過一段世代交替期。

Berthold Schmidt接受台灣媒體採訪時指出，未來兩年將是EUV市場相當強勁的成長期，不過Low-NA與High-NA仍將並存相當長一段時間。從技術角度來看，High-NA才是真正代表未來的新世代光刻平台，公司對此「非常有信心」。

他表示，High-NA最大的優勢，在於可透過「Single Exposure（單次曝光）」完成更多精細圖形，不必像現行製程需要多重曝光，因此可望同時提升解析度、生產效率與良率，成為未來更先進製程的重要關鍵。

不過，他也坦言，目前全球主要晶片廠的產品架構、IC設計與製程流程，大多仍圍繞Low-NA EUV建構，未來必須等待晶片設計逐步轉向High-NA，同時生產設備、材料及供應鏈同步成熟，High-NA EUV才能真正放量。但他透露目前已看到在南韓導入的速度比台灣還快。

TRUMPF行政與管理執行長Volker Jacobsen則補充說，目前正與ASML持續合作提升High-NA EUV光源效能，包括提高光源輸出、曝光速度以及整體生產效率，希望降低設備成本、提高產能，協助客戶更快導入High-NA製程。

談到市場需求，TRUMPF經營團隊表示，公司採取「依需求擴產（Build-to-Demand）」模式，不會預先設定固定產能，而是依據ASML及終端客戶需求逐步擴建產能。若市場需求持續增加，公司也有能力透過新增產線與廠房進一步提升供應能力。

TRUMPF強調，AI浪潮正持續推升先進製程需求，而誰能率先掌握下一代晶片技術，誰就能主導未來半導體產業。High-NA EUV雖然目前仍處於導入初期，但隨著AI、高效能運算（HPC）及更先進邏輯製程需求快速成長，未來終將成為半導體微影製程的重要主流平台。