台積電宣布 全球首顆搭載COUPE技術微環調變器（MRM）今年量產

被業界稱為矽光子元年的台積電光引擎COUPE 將整合共同封裝光學（CPO）解決方案，今日在技術論壇宣布重大成果，搭載COUPE 技術的全球首個 200Gbps 微環調變器（MRM），將於 2026 年進入量產，並實現低於 1E-08 的位元誤差率。

台積電表示，與傳統銅線相比，基板上搭載COUPE的CPO可提供4 倍的功耗效率及減少90%的延遲，公司正朝在中介層（interposer）上使用 COUPE 技術，效能可進一步提升，實現10倍的功耗效率與延遲減少95%的卓越表現。

台積電強調，搭載 COUPE 技術的全球首個 200Gbps 微環調變器（MRM）將於 2026 年進入量產，採用COUPE 技術的 MRM 在優異的製程控制下，實現低於 1E-08 的位元誤差率外，公司也持續擴展，以讓 400Gbps的調變器、多波長技術與多列光纖陣列單元，於2030年實現4Tbps/mm 的頻寬密度。

除此之外，台積電也宣布非揮發性記憶體技術正朝向 MRAM 和 RRAM（ 電阻式隨機存取記憶體） 發展，而且製程將40/28/22 奈米縮小至 16/12奈米。

台積電是在2022年開始以40/28/22nm量產RRAM，這項新型記憶體，具備高速讀寫低功耗的特性，是因應智慧穿載及嵌入式應用而被採用的非揮發性記憶體。台積電今日公布最新的突破是12奈米的RRAM， 已準備好進行客戶設計定案。

除此之外，28/22 奈米的 RRAM也已通過車規Automotive Grade-1 認證；12 奈米的 RRAM Auto預計於 2026 年底推出。

至於MRAM（磁阻式隨機存取記憶體）是一種具備高速讀寫、非揮發性（斷電不丟失資料）及無限次寫入壽命的次世代記憶體技術。它結合了 SRAM 的高速與快閃記憶體 (Flash) 的非揮發性，適用於嵌入式系統（eMRAM）、邊緣運算與汽車電子。

台積電今日也宣布，22 奈米的 MRAM 已開始量產，16奈米 MRAM 已準備好進行客戶設計定案。此外用於提升邏輯密度及效能的 12 奈米 MRAM 正在開發階段，預計於 2026 年底就緒。

至於備受市場關注的顯示技術方面，台積公司宣布推出業界首個 FinFET 高壓平台，用於可折疊/輕薄 OLED與 AR 眼鏡。

台積電強調技術躍進在於 與N28HV 相比，N16HV 預計可將閘極密度提高 41%，並為高階智慧型手機減少功耗 35%； N16HV 也提供了一項用於近眼顯示引擎背板的技術平台，與 28nm 相比，可縮小晶片面積（die area）40%並降低功耗 20%。