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慧榮總座苟嘉章:預期 DRAM 與 NAND Flash 吃緊 恐缺貨到2028年

記憶體控制晶片大廠慧榮(SIMO-US)總經理苟嘉章表示,在供給端受限下,預期DRAM與NAND Flash供需吃緊情況短期難解。  路透
記憶體控制晶片大廠慧榮(SIMO-US)總經理苟嘉章表示,在供給端受限下,預期DRAM與NAND Flash供需吃緊情況短期難解。 路透

本文共635字

經濟日報 記者李孟珊/台北即時報導

記憶體控制晶片大廠慧榮(SIMO-US)總經理苟嘉章表示,AI投資的重心正從訓練快速移至推論,進一步帶動記憶體與儲存需求同步成長,在供給端受限下,預期DRAM與NAND Flash供需吃緊情況短期難解,其中NAND Flash可能一路缺貨到2028年,下半年記憶體價格可望持續上揚。

針對市況,苟嘉章進一步說,目前北美雲端服務供應商持續大舉投入AI基礎建設,業者都擔心未來記憶體與AI基建資源不足,因此積極透過長約與預付款方式提前鎖定供給,不過如此大規模的資本支出不可能長期維持,當未來AI基礎建設投資減緩,恐影響記憶體需求急降,惟記憶體產業已不會回去過去的循環了,大廠重點會回歸到如何做產品價值升級,提供附加價值。

綜觀記憶體產業,苟嘉章指出,記憶體廠即使現在啟動擴產,也無法立即反映在供給上,從取得土地、建置無塵室、設備到位,到裝機、良率調校完成,真正形成有效產能至少需要2至3年,且設備交期往往長達1年至1年半,因此供需缺口短期內難以快速改善。

在價格走勢方面,苟嘉章點出,受缺貨支撐,今年下半年記憶體價格應會一路往上,但漲幅可能小於上半年,但記憶體價格高漲也可能影響產業均衡發展,部分手機與電腦廠已難以承受高昂成本,反而具備採購優勢的大型品牌,如蘋果市占率有機會出現跳躍式成長。

提及中國記憶體產業,苟嘉章回應,長江存儲在缺乏高堆疊設備的情況下,透過國產設備與其他機台混合使用,仍取得不錯進展。長江存儲2030年是否能躍居全球 NAND Flash 龍頭,值得後續觀察。

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