DRAM與NAND同步漲價、AI需求撐盤 力積電記憶體與邏輯晶圓代工回溫

力積電總經理朱憲國今日主持法說會表示，隨著AI帶動記憶體與晶圓代工需求同步升溫，旗下記憶體與邏輯代工兩大產品線已明顯走出谷底，且逐步反應調漲兩大產品線代工價格、產能利用率也同步上揚，營運已進入復甦軌道。

朱憲國表示，在記憶體方面，儘管近期中小型DRAM廠因資金壓力出現拋貨，加上Google發布TurboQuant新演算法宣稱可降低模型對DRAM需求，引發市場雜音，但他認為，AI模型持續擴大、詞元（Token）消耗快速成長，仍將推升整體記憶體需求。包括微軟、Google等大型AI業者，近期已與DRAM原廠簽訂三年長約，顯示供給缺口至少延續至今年下半年。

朱憲國並透露 ，公司已於3月針對DRAM代工價格進行結構性調整，預期漲價效益將自6月起逐步顯現，對營收帶來雙位數成長貢獻。

製程布局方面，公司與合作夥伴推進「1P（One Piece）」新製程，預計2027年導入設備，2028年放量。由於1P晶圓產出顆粒數為現行平台2.5倍，將大幅提升未來DRAM產值。

再者，NAND Flash市場同樣轉強。受韓系大廠淡出SLC NAND Flash市場影響，供需失衡推升價格，公司已於4月調整NAND代工報價，同時推進24奈米MLC NAND製程，預計年底試產、2027年量產。

在邏輯代工方面，受出售銅箔廠並進行產線重整影響，12吋產能出現收縮，帶動價格自年初起明顯上調，其中12吋驅動I代工價格漲幅達30%、CIS影像感測器達20%，8吋產品也有15%漲幅。加上AI伺服器帶動電源管理IC需求強勁，客戶投片持續增加，使整體產能維持高度吃緊。

此外，8吋產線因部分空間轉供12吋設備，供給進一步受限，3月以來價格已調升約10%，市場呈現「需求大於產能」格局。

在先進封裝領域，3D AI封裝需求同樣強勁。雖然矽中介層（interposer）產線因設備搬遷短暫停線，預計第3季恢復；同時IPD（矽電容）已獲國際大廠認證，並於第2季開始放量，應用於英特爾主導的EMIB先進封裝架構，明年下半年需求可望顯著成長。

朱憲國強調 ，隨著AI帶動力積電記憶體、邏輯與先進封裝三大業務同步回升，公司營運動能已自谷底翻升，後續成長動能持續受到市場關注。