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Microchip旗下子公司冠捷半導體（Silicon Storage Technology, SST）與聯電（2303）16日共同宣布，SST第四代嵌入式SuperFlash（ESF4）解決方案，已在聯電28HPC+製程平台上完成全數驗證並進入量產，具備完整的Automotive Grade 1（AG1）車規等級能力。
SST與聯電攜手打造的ESF4，不僅可於車用控制器應用中提供強化的嵌入式非揮發性記憶體（eNVM）效能與驗證過的高可靠性，更相較於其他廠商的28奈米高介電係數金屬閘極（HKMG）eFlash 解決方案，大幅減少額外製程光罩步驟，為客戶帶來更具成本效益與生產效率的方案。
目前已於晶圓代工廠40奈米ESF3 AG1平台生產車用控制器產品的客戶，若有升級至先進製程節點的需求，建議評估聯電28奈米ESF4 AG1平台。
Microchip授權業務部門副總裁Mark Reiten表示，隨著車用需求持續加速，開發者迫切需要能提升效率、加快產品上市並滿足嚴格車規標準的解決方案。SST與聯電攜手提供了具備量產能力的28奈米AG1解決方案，協助客戶加速設計導入。聯電一直 SST推動SuperFlash創新的重要夥伴，雙方持續共同回應快速演進的市場需求，提供具技術與經濟優勢的產品。
聯電技術研發副總經理徐世杰指出，隨著車輛日益邁向互聯、自駕與共享，對高可靠性資料儲存與大容量資料更新的需求也不斷成長，促使客戶期待能在28奈米製程導入SuperFlash技術，透過與SST的緊密合作，公司成功推出已整合至28HPC+製程平台的ESF4解決方案，讓客戶能充分運用聯電豐富的模組與IP，拓展關鍵市場，同時升級至更先進製程節點。
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