宜特法說會／公司看2026年三把火帶旺 CPO 矽光子等挹注

宜特（3289）今日受邀召開線上法說會，公司提到，目前看今年第4季和第3季差不多，矽光子營收第4季到明年首季放量，對2026年雙位數成長樂觀以待，三把火可望帶旺營運表現，三把火包含CPO矽光子、次 2 奈米世代 ALD新材料驗證以及AI新硬體平台驗證解決方案挹注。

宜特提到，近期聚焦布局次 2 奈米世代 ALD 新材料選材與薄膜驗證、矽光子驗測，以及 AI驗證等三大新興服務，預期將成為推動未來營運成長的新三大動能。

次 2 奈米世代 ALD方面，宜特也說，已正式啟動次 2 奈米世代 ALD（Atomic Layer Deposition，原子層沉積）新材料選材與驗證服務，進一步延伸至化學材料端的選材、鍍膜測試與品質確認。此舉使宜特不僅扮演晶片驗證夥伴，更成為材料廠商開發新配方的關鍵加速器。

宜特觀察發現，晶圓代工大廠、IDM廠在今年下半年，陸續在2奈米、18A進入量產，均屬立體電晶體架構，對ALD設備與新材料需求大幅擴張。如何在複雜3D結構中均勻鍍膜，是最困難的一環。傳統CVD與PVD（物理氣相沉積）在3D結構上均有限制。以PVD為例，透過蒸鍍或濺鍍方式，往往無法覆蓋內部深層區域；CVD則因氣體反應速率過快，容易導致薄膜厚度不均。

相較之下，ALD 技術以「原子層逐層沉積」可精準控制膜厚，及其生成的薄膜具高均勻度及覆蓋性優異，被視為2奈米後之先進製程不可或缺的關鍵技術。但ALD沉積速度慢、參數複雜，及其新材料反應條件的掌握尤為嚴苛。宜特推進ALD新材料驗證平台，可協助材料商在開發階段完成鍍膜實驗，快速評估新材料薄膜的品質與一致性，縮短客戶開發週期。

目前業界ALD於製程段可用於製造高介電薄膜及相關先進電晶體(例如GAA/CFET)；而另外將ALD應用於試片製備時的保護層以避免樣品損傷，這已是在TEM分析上的常規作法。然而，宜特的ALD能力並不僅止於此，而是進一步串接「材料選擇 → 鍍膜製程 → 薄膜分析 → 製程驗證」，協助化學材料商、晶片製造商與設備供應商完成新材料驗證與最佳化，提供更完整的產業鏈「材料端至晶片端」之間的分析驗證。

宜特表示，未來半導體的突破不僅來自製程微縮，更仰賴新材料的導入。宜特藉由 ALD 新材料驗證，將協助材料與設備供應鏈加速定義下一世代標準，成為推動次 2 奈米世代後的關鍵力量。

隨著半導體進入新材料時代，宜特透過ALD新材料驗證平台服務，將持續拓展「晶片驗證 + 新材料驗證」雙軌成長曲線，為客戶提供差異化解決方案，亦將成為推動宜特後續營運新引擎。

此外，宜特先前也已表示，為協助客戶在研發與量產前掌握風險，公司已與國內光學檢測領導廠光焱科技合作，結合「宜特懂電、光焱懂光」的互補優勢，打造從元件、晶圓到模組的整合量測平台。透過光焱 NightJar 光學檢測模組，可精準揭露光衰位置與異常點，提供過往業界難以取得的光損定量數據，並與宜特後續的物性與結構分析串接，使缺陷來源能迅速被定位與驗證。近期已有多家國內外客戶洽詢相關驗證服務。