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記憶體廠華邦電（2344）總經理陳沛銘18日表示，動態隨機存取記憶體（DRAM）市場供需出現結構性改變，DDR4市場短缺短期恐難以緩解，預期業績可望成長，獲利也將改善，2026年希望成為第七家半導體千億營收企業。
華邦電今天在國立暨南大學舉辦家庭日活動，綜觀整體記憶體產業，陳沛銘分析，DRAM市場需求的升溫，並非僅是景氣循環，而是源於結構性改變，核心原因在於國際三大DRAM製造商正積極轉向先進製程，例如12奈米及以下節點，然而，12奈米、11奈米，甚至13奈米、14奈米等精細製程節點，為了彌補設計上的缺陷，都需配置所謂的錯誤校正電路（ECC Circuit）。
陳沛銘進一步說，根據JEDEC的DDR4標準（Jteck standard），DDR4產品不允許包含ECC電路，這意味著一旦三大廠轉進13奈米以下的製程，他們將無法回頭生產DDR4產品。這使得DDR4的供應生產線被大幅萎縮，市場上只剩下少數廠商，目前看來僅有華邦電及南亞科等兩家公司仍持續供貨。
陳沛銘直言，7月已感受到客戶需求回溫跡象，很多客戶開始洽談長時間訂單，並成功打進部分以前無法接觸的客戶，且當前DRAM的3大供應商三星（Samsung）、SK海力士（Hynix）及美光（Micron）積極搶進高頻寬記憶體（HBM）及DDR5，無法回頭生產DDR4，雖然部分客戶會升級改採DDR5，不過，DDR4缺口短期恐難以緩解。
展望後市，陳沛銘認為在第3季整體營運樂觀之下，第4季業績可望更上層樓，2026年營收將挑戰1000億元大關，創下歷史新高。
華邦電高雄廠目前月產能1.5萬片，陳沛銘點出，廠區規劃最高可達2.7萬片規模，10月底董事會將敲定新投資計畫，預計明年下半年擴產。此外，製程技術也將推進至16奈米。
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