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經濟日報 記者李孟珊／台北即時報導
以產品研發及技術服務為主軸的博盛半導體（7712），17日正式啟用建設研發中心，占地約600坪，同時宣布推出兩款全新高效能功率元件，專門應用於AI伺服器電源管理的熱插拔MOSFETs（Hot-Swap MOS）系列，象徵該公司在AI運算領域邁出關鍵一步。
據悉，博盛研發中心占地約600坪，目前建築面積916坪，尚餘土地面積約300坪，供日後公司發展使用。其中主要設施為一、二樓恆溫恆濕RFID系統管理的現代化倉儲，以保障產品儲藏環境，及增進出貨效率；三樓為研發測試之各種所需之機台、儀器，室內約120坪，並內建無塵室。
博盛指出，藉由硬體搭配提升，協助技術開發人員的能力並滿足客戶對技術服務的需求，而研發中心機台的投資約為新台幣一億元，大部分機台已陸續到位。
另外，博盛強調，隨著AI運算需求的急速攀升，伺服器電源系統對安全性與可維護性的要求同步提高，公司新推出的AI Server專用熱插拔MOSFETs系列，具備低導通電阻（Extreme Low RDSon）、高瞬態耐壓與高速開關特性，可支援48V伺服器電源架構，並整合SOA（Safe Operation Area）強化設計以確保在突波與短路狀況下仍能穩定運作。
此兩款產品包括博PDC09D8BHX HS：100V / 5.2mΩ / PPAK 5×6 封裝，針對高功率伺服器電源模組應用，兼具低導通損耗與高密度封裝優勢；PDC09K8BHDL HS：100V / 1.8mΩ / LFPAK 8×8 封裝，適用於高電流主電源熱插拔應用，可有效降低系統損耗並提升散熱性能。
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