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台積電宣布2年後退出氮化鎵（GaN）生產，但歐洲半導體大廠英飛凌今日宣布，仍看好氮化鎵市場發展，而為鞏固其作為GaN市場領先垂直整合製造商（IDM）的地位，將在12吋晶圓上擴展GaN生產進度，並已按計畫進行。英飛凌預計今年第4季度將向客戶提供首批樣品，英飛凌有望擴大客戶基礎，進一步鞏固其作為GaN領先企業的地位。
英飛凌表示，公司專注在：矽（Si）、碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）三種化合物半導體技術。憑藉更高的功率密度、更快的開關速度和更低的功率損耗，氮化鎵半導體可實現更精簡的設計，從而減少智慧手機充電器、工業和人形機器人，以及太陽能逆變器等電子設備的能耗和熱量產生。
英飛凌決定以12吋晶圓生產GaN產品，顯然向外界宣示持續扎根第三類化合物半導體的決心，並以技術優先避開與中國的肉搏戰，鞏固在氮化鎵市場領導地位。
英飛凌氮化鎵業務線負責人Johannes Schoiswohl表示，英飛凌全面擴大的12 吋 GaN生產規模將為客戶提供更高價值的產品，同時推動Si和GaN同類產品的成本接近性。
英飛凌的生產策略主要依據IDM 模式，即擁有從設計、製造和銷售最終產品的整個半導體生產流程。英飛凌強調，憑藉其技術領先優勢，已成為首家在現有大批量生產基礎設施內成功開發出12 吋 GaN功率晶圓技術的半導體製造商。與現有的8 吋晶圓相比，12 吋晶圓上的晶片生產在技術上更加先進，效率也顯著提高，因為更大的晶圓直徑可使晶片生產效率提高 2.3 倍。這些增強的能力，加上英飛凌強大的GaN專業團隊，以及業界最廣泛的智慧財產權組合，恰好可以滿足基於GaN的功率半導體在工業、汽車、消費、運算和通訊等領域快速普及，包括AI系統電源、太陽能逆變器、充電器和適配器以及馬達控制系統等。
市場分析師預測， GaN在功率應用領域的營收將以每年36%的速度增長，到2030年達到約25億美元[1]。英飛凌擁有專有的生產能力和強大的產品組合，去年發布40多款新型GaN產品，這使其成為尋求高品質GaN解決方案客戶的合作夥伴。
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