傳美將撤銷台積等半導體陸廠豁免 三大巨擘這家最慘

美國據傳準備對台積電（2330）、三星、SK海力士等三大跨國大型半導體製造商旗下位於中國大陸的晶片工廠生產限制，台積電ADR 20日大跌1.87%。台新投顧副總經理黃文清分析，美國政策對三大半導體巨擘造成不均衡影響，當中以海力士衝擊最重，其次為三星，而台積電僅有少量非先進製程在中國生產，影響性較低。

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美國媒體報導，美國商務部主管管制的副部長Jeffrey Kessler本周告知台積電與三星、海力士等三家全球半導體領導廠商，美國打算撤銷盟友半導體廠在中國使用美國技術所依賴的豁免，最快可能在未來幾個月內實施。台新投顧分析，此舉將迫使這些企業改採逐案申請制度，可能嚴重影響全球晶片供應鏈。

現行的狀況是台積電與三星、海力士等三家公司目前享有的全面豁免，使其無需逐案申請，即可將美國的晶片製造設備運往其在中國的工廠。專家預測，若美國加大限制，審批時間將從目前的自動豁免延長至每次申請需三至六個月的審查期。

白宮官員則稱，這並非新的貿易升級，而是旨在使晶片設備的許可制度與中國對稀土材料的制度相似，確保對等和互惠。

據台新投顧研究，韓國記憶體巨頭三星對中國廠區的依賴度極高，在中國擁有高比例產能，NAND約20~30%、DRAM約40~50%，面臨較高風險。先看三星，西安廠為其唯一海外記憶體生產基地，占三星NAND快閃記憶體總產量的40%、占全球NAND供應10%，正在從128層技術升級至236層及以上，但面臨美國對超過128層技術的出口管制，需獲得特別批准才能進行關鍵技術升級。一旦豁免權被取消，轉為逐案審查，任何用於技術升級的設備進口都可能被駁回，將直接扼殺這些廠區的技術迭代能力，使其在全球競爭中迅速落後。

SK海力士更慘，在中國業務規模可觀，無錫廠約占其DRAM總產量約40%，相當於全球DRAM產能約10%，另外還有一家從英特爾收購、位於大連的NAND快閃記憶體廠，約生產海力士NAND總產量約20%。美國的新政策使陸廠面臨無法進口EUV微影機，升級計畫受阻的困境。

反觀台積電在中國產能多是成熟製程，相關影響可控。台積電在中國經營兩座晶圓廠，較重要的是南京的12吋晶圓廠(Fab 16)，目前使用16奈米製程技術，月產能約為25,000片晶圓；在上海另有一座8吋晶圓廠(Fab 10)，生產更為老舊的130奈米和180奈米等製程節點，因台積電在中國採取低風險策略，專注成熟製程節點（16奈米及以上），有效避開美國出口管制限制，將其中國業務打造為穩定資產，與韓國記憶體製造商的高風險處境形成鮮明對比。