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日月光推矽穿孔先進封裝 強攻AI整合HBM高效運算

本文共494字

中央社 記者鍾榮峰台北29日電

封測廠日月光半導體今天宣布推出具備矽穿孔(TSV)的扇出型基板上晶片橋接(FOCoS-Bridge)封裝技術,可讓新一代人工智慧(AI)和高效能運算(HPC)晶片應用的功率損耗降低3倍。

日月光透過新聞稿說明,小晶片(Chiplet)和高頻寬記憶體(HBM)整合需要更高的互連密度,以高速的平行資料連接並保持訊號完整性。其中,高密度互連是晶片整合的關鍵技術。

日月光指出,AI和HPC電力傳輸需求複雜,需要具備矽穿孔TSV的先進橋接晶片,日月光FOCoS-Bridge高密度封裝平台可嵌入被動和主動晶片,提高電源完整性並提供直接存取來增進效能。

日月光說明,平台具備兩個相同的扇出模組組成的測試載具(Test Vehicle),每個模組以4個TSV橋接晶片以及10個整合式被動元件晶片,橫向互連一個特殊應用晶片(ASIC)和4個HBM3晶片,可突破傳統電性互連侷限,落實處理器、加速器和記憶體模組之間的高速、低延遲、節能的數據通訊。

另外,日月光表示,FOCoS-Bridge平台可落實整合系統單晶片(SoC)、小晶片與高頻寬記憶體,透過採用矽穿孔,FOCoS-Bridge可提高運算和能源效率。

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