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市場傳出，三星通知客戶在4月終止舊製程DDR4生產，台股供應鏈有望受惠轉單效應後，法人機構表示，短期記憶體價格因關稅備貨與廠商控制供給而有支撐，相關記憶體個股呈現跌深反彈，不過，整體環境不確性高，未來基本面仍有隱憂。
法人機構表示，因市場景氣不佳，會使上游記憶體廠加快迭代更新，使單位成本下滑，增加獲利率，把重點資源移轉給高頻寬記憶體（HBM）／DDR5等高階產品，其中，三星DDR3已在去年第2季停產，以往市場都預期國內製程較落後的記憶體廠將會受惠轉單效應。不過韓廠退出的另個原因就是這個產品的市場規模在縮小，且若經濟情況不佳，不會因韓廠退出，而使報價上揚，去年下在半年整體記憶體市場即呈現疲弱的狀況。
從三星產品規劃來看，1y nm製程在去年位元產出比重約近20%，但呈現逐季減少的趨勢，今年下半年比重將低於10%。1z nm製程是2024年的主要製程，占產出約30%，2025年將下滑至20%左右，1z製程的DDR4在2026年進入EOL倒數階段，預計DDR4顆粒最後僅維持1z nm製程供應，將於2027年停產。
新製程1a及1b nm的產出比重將提升，今年上半年1a nm為生產主流，但下半年1b nm製程投片將會快速提升，預計年底占比超過40%。採用1a及1b nm新製程的DDR5模組將優先供貨給PCOEM客戶，包括Dell、HP、華碩（2357）、宏碁（2353）等品牌業者。
分析師表示，美國關稅政策反覆，提升記憶體短期採購動能，雖然市場提前拉貨，有可能使今年下半年出貨面臨旺季不旺，不過現階段也只能持續觀察，先配合客戶提前拉貨的需求，先塞庫存到美國，以應變未來不確定的風險。
目前全球DRAM與NAND資本支出維持保守，整體供應鏈將面對來自中國大陸廠商的激烈競爭與美國對等關稅政策風險升溫。整體而言，記憶體市場短期價格因備貨與廠商供給減少支撐，但中長期仍需關注中國大陸擴產進度、美國關稅政策走向及原廠資本支出策略，整體環境不確性高，未來基本面仍有隱憂。
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