台達電搶進輝達下世代 AI 鏈 開發 Rubin 平台專用電源

台達電（2308）看好輝達下世代Rubin平台AI晶片用電量暴增，電路也將重新設計帶來的新商機，以獨門技術完成Rubin平台專用電源開發，打造出整合碳化矽及周邊半導體元件、散熱材質等成單一模組的「黑盒子」，腳步為同業最快，有望成為全球首批打入輝達新世代AI伺服器電源供應鏈的領頭羊。

輝達於今年GTC大會揭示AI晶片發展藍圖，包括今年下半年推出GB300等Blackwell Ultra平台新晶片、明年的Rubin平台，以及2028年的Feynman平台。由於GB300為目前GB200的升級版，差異性不大，Feynman平台問世時程還太久，法人當下焦點多著重在明年的Rubin平台。

台達電源及零組件執行副總裁史文景分析，隨著AI伺服器所需功率大幅飆升，同樣體積的電源需要具備更高的電源密度，因此要有全新電路設計。

史文景透露，台達電領先業界以獨家技術，將碳化矽及半導體周邊元件、散熱材質封裝成為單一模組，開發出符合輝達下世代AI晶片所需電源，創造差異化優勢，預計明年下半年量產。

台達電源及系統事業群總經理陳盈源分析，新世代AI晶片電源設計大不同，現在晶片輸出是50V（伏特），未來變成高壓直流、高達800V，相差16倍，就像「火車變高鐵」；此外，整體配電線路也將大改版。

陳盈源指出，現在輝達晶片電流是靠三相交流電（AC）配電輸入，但在同個配電的電路中，取其中每個單相，送電到一個AC／DC的電源；未來新世代AI晶片每個電源功率從5.5KW提高至30KW，呈跳躍式成長，電壓從50V拉高至800V，電源供應器（PSU）也將變成三相input，單相input和三相input的電路設計完全不一樣。

史文景說，因應輝達下世代晶片對電源與電路設計改變，原來的半導體技術採分散式元件，功率元件為MOSFET，變成三相輸入後就要變成碳化矽，因為電壓不一樣，零件改變，且因為同樣的空間，效率及功率密度提高，零件工作的控制方式及原理也要調整。

PSU設計考量拓撲結構，材料及封裝技術三合一，整合碳化矽及周邊半導體元件、散熱材質等成單一模組，變成「黑盒子」，透過提高電源功率及效率，透過內部不同技術垂直整合，以獨到封裝技術，在電源效率及功率創造差異化優勢。

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