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工研院前進日本電子製造關連展 發表車用碳化矽方案

本文共356字

中央社 記者張建中新竹22日電

工研院參加日本國際電子製造關連展(NEPCON JAPAN),發表車用碳化矽技術解決方案,並展示逾10項寬能隙功率半導體技術新成果。

工研院發布新聞稿指出,在日本國際電子製造關連展中展出與台達電共同開發的碳化矽功率模組,具備提升電動車動力效能、延長續航能力、加速充電。

工研院表示,「1200V/660A T2系列碳化矽功率模組」採用碳化矽功率半導體製程,主要應用於牽引變頻器,可加強散熱效果並降低耗能,同時提高系統功率密度,有效降低變頻器產品的體積與重量,延長電動車續航里程,並提升車輛加速與動力輸出,目前已通過可靠度測試。

此外,現場還展示台達電為充電樁開發的碳化矽C1系列模組,以及工研院與美國阿肯色大學合作開發的400kW直流變壓器,系統效率可達98%以上,應有助於再生能源及儲能等電力轉換系統應用升級。

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