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英特爾晶圓代工宣布美國國防部RAMP-C計畫加入新客戶

本文共911字

聯合報 記者簡永祥/台北即時報導

英特爾晶圓代工宣布國防工業基礎(Defense Industrial Base,以下簡稱DIB)客戶Trusted Semiconductor Solutions和Reliable MicroSystems,成為「快速保證微電子原型-商業計畫」(RAMP-C)第三階段成員。英特爾表示,經由參與美國DIB計畫後,DIB客戶能夠利用英特爾晶圓代工領先的Intel 18A製程和先進封裝技術,為美國國防部提供商業和DIB產品的原型開發與量產。

在RAMP-C計畫中,英特爾晶圓代工協助戰略客戶、智慧財產權(IP)、電子設計自動化(EDA)和設計服務供應商,縮短英特爾晶圓代工領先技術的設計時間。

英特爾晶圓代工及其生態系提供即可使用解決方案,為DIB客戶提供最新製程技術和先進封裝能力,協助設計、測試和製造先進晶片。

協助DIB客戶提前取得先進半導體技術是滿足國防工業對關鍵尺寸、重量和功率需求的重點。Intel 18A是英特爾自2011年將鰭式場效電晶體(FinFET)導入量產以來最重要的電晶體創新,整合了英特爾全新PowerVia背部供電技術和RibbonFET環繞式閘極(GAA)技術,顯著改善每瓦效能和密度。

此外,DIB客戶還能利用英特爾晶圓代工的先進封裝技術,如嵌入式多晶片互連橋接(Embedded Multi-die Interconnect Bridge,EMIB),為異質晶片提供高互連密度,以滿足當今複雜的運算需求。

英特爾強調,RAMP-C計畫自2021年10月啟動至今成果卓越,英特爾晶圓代工在三個階段皆發揮關鍵作用。包括奠定基礎:領導技術開發、創建IP和生態系,並為客戶測試晶片流片做好準備;其次是擴大與增加:透過加入波音公司和諾斯洛普格魯曼等DIB首批主要客戶,以擴大客戶群。英特爾晶圓代工持續提升IP和生態系解決方案,使新客戶能夠以Intel 18A製程技術為基礎進行設計、開發和流片;第三是先進原型設計和製造:2024年4月獲得該計劃獎項後,英特爾晶圓代工推動了早期DIB產品原型的流片和測試。此階段凸顯Intel 18A技術已做好量產的準備,也為廣泛測試晶片和多個商業與DIB產品原型流片揭開序幕。

英特爾晶圓代工宣布美國國防部RAMP-C計畫加入新客戶。圖/英特爾提供
英特爾晶圓代工宣布美國國防部RAMP-C計畫加入新客戶。圖/英特爾提供

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