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韓媒爆料，三星加快下世代高頻寬記憶體（HBM）開發腳步，原本計劃今年上半年量產第五代HBM產品「HBM3E」，並於下半年量產第六代產品「HBM4」，如今將HBM4量產時程提早至上半年。
HBM4是三星為輝達下世代AI晶片「Rubin」平台設計，三星HBM4量產腳步提前，意外曝光輝達下世代Rubin將提早半年、於今年第3季問世，業界預期將掀起新一波AI伺服器建置熱潮，鴻海是輝達最重要合作夥伴，成為最大贏家，廣達、緯創、英業達等也可望受惠。
法人分析，輝達下世代Rubin平台複雜度升高，整合價值提升，代工廠不僅在輝達供應鏈扮演的角色更重要，平均出貨單價（ASP）也可望持續提升，大幅挹注伺服器代工廠營收。
廣達之前曾透露，輝達下世代AI伺服器平均銷售單價估將較前一代成長二至三倍，由於零組件成本高昂、產品架構複雜度提高，客戶希望廣達在量產前預先儲備關鍵零組件庫存，確保關鍵零組件供應順利及順利交貨。
韓媒New Daily報導，根據半導體產業消息，三星原本計劃在上半年全面量產供應輝達的第五代HBM、即所謂的HBM3E產品，並於下半年開始量產下一代產品HBM4，但考量市場情勢，三星已調整目標，有意將HBM4提前約六個月完成量產認證。
輝達加快其AI加速器的研發速度，可能是三星決定提前量產HBM4的主因。輝達原定於明年推出的下一代AI加速器Rubin，預料將提前至今年第3季發布。
Rubin每台設備將配備八顆HBM4記憶體，開啟HBM4時代。因此，各HBM製造商也正調整研發與量產的時間表，以配合輝達新品推出。
輝達執行長黃仁勳去年6月在台發表主題演講時，首度透露輝達下世代AI晶片為Rubin平台，將會搭配最新的高頻寬記憶體HBM4，黃仁勳當時預告，Rubin平台預計2026年問世。
輝達官方尚未正式宣布Rubin平台所採用的製程，但外界大多推估為台積電（2330）3奈米製程。
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