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大摩:HBM 市場分散化、AI 投資達高峰 明年恐供過於求

外資摩根士丹利唱衰當紅的高頻寬記憶體(HBM)後市。圖為三星的36GB HBM3E。 美聯社
外資摩根士丹利唱衰當紅的高頻寬記憶體(HBM)後市。圖為三星的36GB HBM3E。 美聯社

本文共668字

經濟日報 記者李孟珊/台北報導

外資摩根士丹利最新報告開出進看壞DRAM市況的第一槍之際,同步唱衰當紅的高頻寬記憶體(HBM)後市,預期隨著市場分散化以及AI領域投資達到高峰,明年HBM市場可能供過於求。惟記憶體業者普遍不認同大摩的觀點,認為HBM市場一路旺到2025年無虞。

大摩的觀點是,每家記憶體廠都在根據HBM產出的最佳可能情況進行生產,將全球原本用於生產DRAM的15%產能轉換至生產HBM,這只需要少量的資本投資,預估僅不到2024年DRAM晶圓製造設備的10%,然而,如果按這個計畫進行,HBM產能可能會面臨過剩。

大摩直言,現階段業界良好的HBM供應狀態,2025年時,恐面臨實際產出可能會逐漸趕上、甚至超過當前被高估的需求量。一旦上述問題浮現,導致HBM供過於求,記憶體廠可把產能挪回製造DDR5,並閒置一小部分後端設備。

目前全球HBM主要由SK海力士、三星、美光等三家國外大廠供應,台廠並未涉入HBM製造。相較於大摩看壞HBM市場發展,SK海力士、三星仍力挺HBM後市。

三星、SK海力士本月初來台參加國際半導體展(SEMICON Taiwan 2024),當時兩大廠即同步釋出對HBM後市正向看待的觀點,並積極推出最新產品,且不約而同強調將強化與其他晶圓廠合作。

三星並推估,HBM市場規模今年將達到16億Gb,相當於2016年到2023年加起來再乘以兩倍的數字,顯現HBM市場爆發力強勁,看好AI將帶動DRAM市場蓬勃發展。為此,三星下世代MCRDIMM也已經準備好將在年底量產,並推出32Gb DDR5。


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大摩對記憶體產業示警 業界仍持正向看法

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