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世界斥資24億元參與漢磊私募 雙方結盟合作研發及製造8吋SiC

本文共505字

聯合報 記者簡永祥/台北即時報導

漢磊與世界先進今天舉行董事會,會後發布重訊雙方宣布策略合作,共同推動化合物半導體碳化矽(SiC)8吋晶圓技術研發與生產製造;世界將斥資新台幣24.8億元,認購漢磊5000萬股私募普通股,取得13%股權。

漢磊發表聲明表示,這次與世界先進合作將以8吋碳化矽半導體晶圓製造技術開發及未來量產為主,相關技術初期由漢磊轉移,預計2026年下半年開始量產。

漢磊指出,碳化矽材料可以有效提升能源效率,可廣泛應用於電動車、AI資料中心、綠能儲能、工控及消費產品。透過結合與世界先進的技術優勢和市場資源,將可創造更大價值。

漢磊董事長徐建華透過新聞稿說,漢磊集團的嘉晶與世界是長期矽磊晶的合作夥伴,這次透過引進世界先進入股,將使彼此策略合作更加緊密。

世界董事長方略表示,世界目前已有電源管理IC、分離式元件及氮化鎵(GaN)相關技術,隨著導入碳化矽技術,將成為完整第3類化合物半導體的8吋晶圓廠,提供從低功耗到高功率、低頻到高頻的完整電源管理技術平台,為客戶提供更具競爭力的解決方案。

方略指出,希望能為客戶的產品提供更具競爭力的全方位解決方案。 此外,世界先進也期許透過與漢磊攜手研發創新綠能技術,為實現低碳永續的未來盡一份心力。

世界先進董事長方略宣布斥資24億元參與漢磊私募,雙方共同推動化合物半導體碳化矽(...
世界先進董事長方略宣布斥資24億元參與漢磊私募,雙方共同推動化合物半導體碳化矽(SiC)8吋晶圓技術研發與生產製造。圖/聯合報系資料照片

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