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M31 與高塔半導體合作 開發65奈米靜態隨機存取記憶體、唯讀記憶體IP

本文共417字

經濟日報 記者鐘惠玲/即時報導

矽智財(IP)供應商M31(6643)於1日宣布,與高塔半導體合作,成功開發65奈米製程的靜態隨機存取記憶體和唯讀記憶體IP產品,並將設計模組交付客戶端完成驗證,標榜搭配此平台的低功耗類比場效電晶體所設計的電路架構,能滿足系統單晶片嚴格的低功耗要求。

M31和高塔半導體的合作主要集中於成熟製程上,預期將為物聯網、智慧型穿戴裝置、車聯網(V2X)、AI等應用領域提供更可靠、高效的半導體元件,有助於客戶在市場上取得競爭優勢。雙方將通過技術整合,提高生產效率並降低成本,滿足市場對高度集成、低功耗、高性能半導體解決方案不斷增長的需求。

M31研發副總連南鈞表示,非常高興和高塔半導體攜手合作,加速產品研發進程,為客戶提供更優質、創新的半導體解決方案。

高塔半導體客戶設計支援中心副總Samir Chaudhry指出,隨著數位類比IC中的元件需求持續上升,很高興能擴大與M31的合作,開發兼容Tower 65奈米電源管理平台的先進記憶體編譯器。

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