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三星產能大挪移 排擠效應掀漲價潮...DRAM族旺

供應鏈透露,已接獲三星通知,其高頻寬記憶體(HBM)產品HBM3e通過輝達(NVIDIA)認證,預計本季開始供貨。(美聯社)
供應鏈透露,已接獲三星通知,其高頻寬記憶體(HBM)產品HBM3e通過輝達(NVIDIA)認證,預計本季開始供貨。(美聯社)

本文共1159字

經濟日報 編譯林聰毅、記者尹慧中/綜合報導

供應鏈透露,已接獲三星通知,其高頻寬記憶體(HBM)產品HBM3e通過輝達(NVIDIA)認證,預計本季開始供貨,並將提撥高達三成既有DRAM產能生產HBM3e,造成龐大的產能排擠效應,「要趕緊備貨(DRAM)」,料將引爆DRAM漲價潮重頭戲,南亞科、威剛、十銓等台廠坐享漲價利益。

業界分析,三星是全球記憶體龍頭,DRAM市占高達45%以上,以三星擬提撥三成產能生產HBM3e換算,全球現有超過13%的DRAM產能不再投入DDR4或DDR5等DRAM,導致DRAM市場供給更緊俏。

外資摩根士丹利認為,DRAM正迎來前所未有的供需失衡「超級周期」,標準型DRAM供應缺口更甚於HBM、高達23%,價格將一路上漲。

三星強攻HBM帶旺DRAM業
三星強攻HBM帶旺DRAM業

伴隨消費性電子旺季來臨,在供給銳減、需求大增下,推升DRAM價格走勢可期,法人預期,南亞科、威剛、十銓等台灣DRAM相關廠商將受惠。

HBM是AI伺服器關鍵記憶體元件,近期供不應求,惟三星在HBM發展遭二哥SK海力士超車。先前傳出三星送樣HBM產品給輝達未過關,如今三星捲土重來,有助舒緩HBM缺貨態勢,助力AI產業發展之際,對傳統DRAM產業也有重大意義。

台灣記憶體廠均正向看待國際記憶體大廠大舉將產能轉向生產HBM產品,產生的產能排擠效應,導致DDR4、DDR5供給受限、價格上揚態勢。

南亞科總座李培瑛先前指出,HBM、DDR5供不應求,有望拉抬DRAM市況,預期南亞科下半年將維持全產能生產,以滿足市場需求。

李培瑛認為,南亞科較有把握調漲DDR4價格,主因是三大原廠產能排擠下,將減少DDR4產出,預期將調整相關市場庫存,而在需求大於供給下,南亞科也會有較大的議價能力。

威剛董事長陳立白也對整體記憶體市況看法正向,他提到,目前上游原廠對價格態度依舊相當正向積極,產能配置以毛利率最高的HBM優先配置,之後才是一般用途的DDR5與DDR4,資本支出也以獲利為導向,看好除了DDR5價格續漲外,DDR4待庫存去化告段落,價格也將從8月開始進入第二波漲勢,漲幅至少30%以上。

十銓也預告,DDR5由於原廠的供給量不足,價格仍會持續微幅上揚,消費級AI應用將會於今年第4季後,隨著相關終端裝置新品陸續推出,將帶動需求上揚。

三星預計7月31日召開財報會議,也讓外界期待公布相關HBM進度與後續產能規畫。外傳三星也已向供應鏈夥伴預告提早備貨,讓相關產能轉移至HBM生產的預期再增添可信度。

另外,南韓媒體報導,三星在HBM持續乘勝追擊,計劃以先進的4奈米製程,量產第六代高頻寬記憶體(HBM)晶片「HBM4」,直接槓上SK海力士與台積電(2330)聯盟。另據分析師估算,三星電子半導體部門第2季銷售可能超越台灣台積電,為近兩年來首見。


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