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美國擬限制 GAA 技術出口大陸 三星晶圓代工首當其衝

本文共915字

經濟日報 記者尹慧中/台北即時報導

美國擬限制對中國大陸出口 GAA ( 環繞式閘極 ) 技術,限制中國大陸獲取應用於人工智慧晶片的 GAA 技術,由於目前三星晶圓代工已先導入 GAA 架構,法人預期,三星晶圓代工首當其衝,至於後續英特爾、台積電(2330)等計劃量產採用 GAA 架構設計量產的廠商影響尚待觀察。

由於GAA 技術與目前廣泛使用的 FinFET 技術不同,被業界視為提供更細微的調整選項,以優化效能、功耗及密度,預期將是2奈米以後主流架構。

外電報導,美國政府考慮限制中國大陸獲取應用於人工智慧晶片上的 GAA 技術。新措施將不會直接禁止 GAA 晶片的出口,而是針對製造這些晶片的技術。

外電也報導,美國政府內部也在討論對 HBM 技術的出口限制,但尚未決定是否會與 GAA 技術的限制一同實施。不過目前相關限制措施的最終決定時間尚不明確。

晶圓代工廠當中三星電子晶圓代工是率先在3奈米就導入 GAA 架構,先前韓國經濟日報報導,超微執行長蘇茲丰日前參加比利時微電子研究中心(imec)的2024年全球技術論壇(ITF World 2024)時,發表以3奈米環繞式閘極(GAA)技術量產下一代晶片的計畫,並表示會以3奈米 GAA 電晶體作為改善效率與效能、強化封裝與互聯的觸媒,由於目前三星電子是唯一推動商業化 GAA 架構3奈米製程的晶片製造商,去年率先全球以 GAA 架構的3奈米製程生產先進晶片。超微相關訊息讓外界認為將和三星製造深化合作。

GAA 架構業界普遍認為2奈米才會成為主流,於日前舉行的2024年 IEEE 國際固態電路會議(ISSCC)上,比利時微電子研究中心(imec)推出一款開放式製程設計套件(PDK),該套件配備一套由 EUROPRACTICE 平台提供的共訓練程式。利用這款套件,將能透過 imec 開發的2奈米環繞閘極(GAA)技術來進行虛擬數位設計,包含晶背供電網路。

Counterpoint Research 日前報告提到,對於未來發展,環繞式閘極結構(GAA)技術的發展,為晶圓廠設備市場帶來新的增長機會。同時,AI、汽車和物聯網(IoT)領域的投資增加,將進一步推動晶圓廠設備的需求,促進整個半導體行業的創新和發展。

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