經濟日報 App
  • 會員中心
  • 訂閱管理
  • 常見問題
  • 登出

南亞科:減產效應及AI需求 DRAM市場可望穩健復甦

本文共859字

中央社 記者張建中桃園29日電

南亞科董事長吳嘉昭今天表示,隨著DRAM主要供應商減產效應逐步浮現,加上生成式AI帶來高頻寬記憶體(HBM)及DDR5強勁需求,相對降低DDR4及DDR3產出及庫存水位,預期今年DRAM市場可望穩健復甦。

台塑集團動態隨機存取記憶體(DRAM)廠南亞科今天召開股東常會,吳嘉昭說,受地緣政治等因素影響,DRAM產業連續兩年景氣下滑,南亞科去年營收新台幣298.9億元,年減47.5%,稅後淨損74.4億元,每股虧損2.4元。

吳嘉昭表示,去年下半年開始DRAM主要廠商減產,效應逐漸浮現,加上生成式人工智慧(AI)帶來HBM及DDR5強勁需求,相對降低DDR4及DDR3產出及庫存水位。

吳嘉昭說,DRAM是所有電子產品數位化的重要零件,用途廣泛。在伺服器方面,雲端業者正擴大投資AI伺服器,其他企業用戶也增加通用型伺服器採購,整體伺服器出貨可望顯著成長

手機方面,去年下半年新機上市,增強市場復甦,由於手機導入AI功能使得DRAM搭載量持續增加。電腦方面,庫存已降至正常水準,隨著軟硬體升級需求,及AI PC推出,將帶動換機潮,預期DRAM搭載量也將同步增長。

吳嘉昭表示,電視及機上盒等產品,因為奧運等運動賽事將加速成長。另外,具備更高傳輸速率的WiFi7問世,會增強網通產品銷售,消費性電子產品也會回到正常成長軌道。

吳嘉昭說,今年DRAM各終端應用市場需求會成長,主要DRAM供應商會著重在HBM和DDR5產品,將有助於DDR4供需改善,平均銷售單價也會上揚,DRAM市場可望穩健復甦。

至於技術發展,吳嘉昭表示,南亞科第2代10奈米(1B)製程前導產品去年投片試產,預計今年會開始生產3顆產品,有助於擴大產品線,貢獻營收。

第3代10奈米(1C)製程功能測試晶片正在試產,先導產品設計同步進行,第1顆產品預計明年初進入試產。此外,南亞科還開發TSV矽穿孔製程技術,預計推出高容量DRAM模組,供應伺服器市場。

吳嘉昭指出,今年會有更多產能轉進1B製程技術,加上新廠營建工程支出,預計今年資本支出約260億元。

※ 歡迎用「轉貼」或「分享」的方式轉傳文章連結;未經授權,請勿複製轉貼文章內容

延伸閱讀

上一篇
中華電限量預購 三星Galaxy Z Fold6 / Flip6快速額滿
下一篇
台積電法說半導體風向球 將釋出Q2財報、Q3展望

相關

熱門

看更多

看更多

留言

完成

成功收藏,前往會員中心查看!