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DRAM廠增加投片 集邦:HBM排擠仍可能供不應求

本文共531字

中央社 記者張建中新竹20日電

市調機構集邦科技今天表示,動態隨機存取記憶體(DRAM)供應商開始提高先進製程投片,產能預計於今年下半年提升,不過各廠產能規劃以高頻寬記憶體(HBM)為優先,預期在產能排擠下,DRAM產品仍可能供不應求。

集邦科技今天發布新聞稿,對DRAM市況提出最新看法。集邦科技指出,隨著記憶體合約價翻揚,DRAM供應商開始增加資金投入,提高先進製程投片,估計產能將於今年下半年提升。

集邦科技表示,HBM產品因獲利較佳,且需求持續增加,DRAM廠產能規劃以HBM產品為優先,但受限於良率僅50%至60%,晶圓面積大,估計至今年底占先進製程比重約35%,其餘先進製程產能則生產DDR5及LPDDR5產品。

HBM3E將是HBM市場主流規格產品,集邦科技指出,SK海力士(Hynix)仍是主要供應商,美光(Micron)也開始出貨AI晶片廠輝達(NVIDIA),三星(Samsung)預計第2季完成驗證,於今年中開始出貨。

集邦科技表示,DDR5及LPDDR5規格產品今年滲透率將逐步提升,預估至今年底DDR5滲透率將逾50%,成為市場主流。

集邦科技指出,包括三星、SK海力士及美光皆有擴產計畫,新廠預計2025年陸續完工,預期在產能排擠影響下,DRAM產品仍可能供不應求。

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