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美光新高頻寬記憶體 HBM3E 量產 將用於輝達 H200

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將用於輝達Q2出貨的GPU 確立業界領先地位 早盤股價續漲

為搶攻AI商機,記憶體大廠美光(Micron)在美國時間26日宣布,最新高頻寬記憶體HBM3E正式量產。路透
為搶攻AI商機,記憶體大廠美光(Micron)在美國時間26日宣布,最新高頻寬記憶體HBM3E正式量產。路透

本文共771字

經濟日報 編譯葉亭均、林奇賢/綜合外電

為搶攻AI商機,記憶體大廠美光(Micron)在美國時間26日宣布,最新高頻寬記憶體HBM3E正式量產,該解決方案將用於今年第2季出貨的輝達H200 Tensor Core GPU,此里程碑使美光居於業界領先地位。消息激勵美光股價同日大漲4%,27日美股早盤續漲逾2.5%。

隨著美光搶先宣布第五代高頻寬記憶體HBM3E已正式量產,三星電子也緊接著公布12層HBM3E已開發完成,使得原先在HBM領域跑在前頭的SK海力士腹背受敵,27日股價應聲重挫。

美光HBM3E目前提供24GB容量,每腳位傳輸速率超過每秒9.2 Gb,記憶體頻寬達每秒1.2 TB以上。與競品相比,美光HBM3E功耗降低約30%。

該公司也規劃將在2024年3月推出12層堆疊36GB HBM3E的樣品,相較於競品,效能可達到每秒1.2TB以上,並具備優異的功耗表現。

花旗分析師丹納利表示,這項發展有利美光,預期該公司2024年將產生7億美元的HBM營收。

接著,三星27日宣布成功研發出利用矽穿孔技術(TSV)的業界首款12層堆疊HBM3E,容量為迄今業內最大的36GB,已開始向客戶提供12層堆疊HBM3E的樣品,並計劃下半年投入量產。

根據MoneyToday上周報導,SK海力士1月中旬結束HBM3E開發,順利完成輝達歷時半年性能評估,預定3月開始量產HBM3E,進度顯然落後美光。SK海力士27日收跌4.9%。

另外,Omdia最新數據顯示,三星電子2023年第4季動態隨機存取記憶體(DRAM)全球市占率為45.7%,穩居榜首,SK海力士市占31.7%,名列第二,美光市占19.1%,排在第三。

在DRAM之中,快速成長的HBM是最新戰場;TrendForce預估,HBM的市場規模,將從今年的39億美元成長至2027年的89億美元。


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