慧榮推第三代PCIe Gen4 SSD控制晶片 滿足次世代3D NAND設計需求

全球NAND快閃記憶體控制晶片領導廠商慧榮科技今日宣布，推出最新款高效能 PCIe Gen4 固態硬碟（ SSD註 小詞典 SSD 固態硬碟（Solid-state Driver, SSD）是當下硬碟裝置的主流，相較於傳統硬碟是透過碟片和讀寫頭組成，SSD則是透過NAND晶片製造，沒有會轉動的碟片，因此較傳統硬碟耐撞擊，也沒有馬達的電流需求，相對省電。但可儲存的數據容量較小且價格偏高。 ） 控制晶片解決方案–SM2268XT。該產品專為具備高速傳輸功能的NAND所設計，支援次世代的TLC與QLC NAND，加速客戶新世代SSD產品的問世，在不須妥協頻寬與延遲的情況下，能完善確保資料的完整性和錯誤校正能力。

慧榮指出，SM2268XT搭載雙核心ARM R8 CPU，內含四個PCIe 16Gb/s資料匯流排，並支援四個NAND 通道，每個通道最高可達3,200 MT/s，讓SSD設計人員能夠充分利用次世代高速TLC和QLC 3D NAND，開發出更高效能SSD。其多核心設計可自動平衡運算負荷，以提供領先業界的超高效能，循序讀/寫速度可達7,400/6,500 MB/s，隨機讀寫可達1,200K IOPS。此外，其先進的架構有助於提供更低耗電及更嚴密的資料保護，為具備成本效益的 DRAM註 小詞典 DRAM 指動態隨機存取記憶體（Dynamic Random Access Memory，DRAM），是電子系統產品不可或缺的零組件，廣泛用於筆電、智慧手機、電視、印表機等3C終端產品，主要用來暫存終端裝置運作時需要的資料或檔案，使得整體裝置運作效能更快。DRAM屬於一種揮發性記憶體（volatile memory）裝置，存在DRAM的資料會在電力切斷以後很快消失。 -less PCIe Gen4 NVMe SSD解決方案帶來更高效能與高可靠性。

SM2268XT採用全新的系統架構、主機記憶體緩衝器(HMB)，搭載慧榮科技全新第八代 NANDXtend® ECC技術，結合專利的4KB LDPC ECC引擎和RAID功能，提供極佳的錯誤校正能力。SM2268XT是專為符合成本效益的次世代TLC與QLC 3D NAND所設計，讓具備成本效益的SSD能夠廣泛應用於各種類型的筆電，不管是高效能、市場主流或初階的機種。