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企業生日快樂/南亞科掌握關鍵技術 啟動大投資

本文共1733字

經濟日報 記者林思宇/台北報導

南亞科(2408)(2408)總經理李培瑛表示,DRAM是關鍵的零組件,南亞科啟動3,000億元大投資,就是要把關鍵技術留在台灣。現在的南亞科已經擺脫「投資者錢坑」陰影,經過不斷創新與研發,已成功開發出新世代10奈米級記憶體技術,代表台灣正式掌握DRAM半導體世界一流的先進技術能力。以下為專訪紀要:

問:面對全球DRAM產業寡占局面,啟動3,000億元大投資,如何為南亞科在未來全球與台灣記憶體市場定位?

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答:南亞科目標是「永續發展」。台灣缺乏人口及天然資源,經濟必須仰賴技術密集產業,DRAM就是這樣的半導體科技產業。

DRAM是所有電子產品智慧化的關鍵零組件,應用廣泛,包括5G通訊、人工智慧(AI)、物聯網(IoT)、高速運算(HPC)等。

南亞科第一步是營運轉型,建立穩健獲利經營模式。相較於國際大廠專注規模龐大應用市場,南亞科更著重多元化及靈活性,由以往標準型市場為主營運模式,轉型至消費性、低功率及伺服器等多元市場為主。

第二步是自主技術創新研發,走出自己的路。過去台灣DRAM各廠付鉅額授權金取得國際授權,投入資本設備,但面臨隨時可能斷炊風險。根本解決之道為自主開發有競爭力技術,以及投資新廠降低成本。

南亞科座右銘是「技術精深、專業負責」,2017年起致力10奈米級技術新產品開發,成功開發出10奈米級記憶胞,今年下半年量產第一代10奈米級1A技術及產品,第二代1B進入試產,並展開第三代1C技術,以及應用於1D的EUV技術研發。

五年來研發經費增加三倍,去年達75億元,研發人力擴充三倍到千人,全球專利數超過5,100件,未來將持續投入研發創新。

第三步是迎接智慧世代,興建先進晶圓廠永續發展。加碼600億元投資廠房技術升級,再投入3,000億元興建一座雙層無塵室新廠,包含主廠房、研發大樓及水資源再生中心,及EUV極紫外光微影設備獨立廠房。

採用10奈米級製程技術生產晶片,運用AI智慧製造技術,全面提升製程效率。

新廠分三階段進行擴建,完成後月產能可達4.5萬片晶圓,預計2025年裝機投片量產,屆時晶粒位元產出成長將達120%,提升南亞科未來競爭力,成為智慧世代最佳記憶體的夥伴。

問:全球面臨高科技人才荒,如何找到適合且充裕人才?

答:南亞科研發實力及團隊並非短期造就出來。除栽培生產製造人才,1998年起就開始和美國IBM、德國英飛凌、奇夢達和美國美光等共同研發,投入大筆資金,派駐國外數百人。

儘管後來面對營運壓力,停止研發,遣散部分研發人員,紅色供應鏈高薪挖角,但靠著留守同仁胼手胝足,重建研發團隊,經過數年努力,培育上千位專業研發人才,建立幾十個專業領域研發能量。

同時與長庚大學辦「記憶體專業學程」碩士班,與台北城市科大辦「半導體人才培育學院」,與明志科大合作「半導體製造學程」,與台科大合作 Layout專班等,深耕校園記憶體人才培育。

問:記憶體業兩岸各自的優劣勢,南亞科如何勝出?

答:大陸發展記憶體和全世界其他公司一樣,最重要的影響是改變供需平衡,增加供應商間競爭。唯一差異是大陸廠商是否應用政府資金,或不尊重「智慧財產權」及「營業秘密法」,將來是否會因為不公平競爭,引發國際商業爭議,值得觀察。

紫光營運在Flash快閃記憶體,對DRAM影響不大。投資DRAM的合肥長鑫、福建晉華,由於財務不透明,營運不清楚,但應和紫光類似,獲利不易。

台灣是僅次南韓全球第二大DRAM生產製造基地,政府及全民應重視高科技產業,台灣DRAM產業受到威脅或是淘汰,都會影響到人民。

問:南亞科的ESG策略?

答:首先,產品設計時就導入LCT生命周期,去年銷售產品87%是節能產品,省下超過7.1億度電力,在溫室氣體排放減量上,使用的含氟氣體削減率超過93%,每年平均降低50萬噸的二氧化碳排放量,過去五年節省5,885萬度電。

此外,投資超過30億元在製程水回收系統,去年回收率達90.8 %。已購買1,040萬度陸域風電,今年購買2.5億度太陽能光電,明年將有2,500萬度電力來自再生能源,預計2030年再生能源使用能達25%至30%。

最後是全力導入智慧工廠運作,已開發完成70個人工智慧應用,年效益達3.3億元,五年累計預計可達到20億元,更可提升產品良率品質及降低原物料及能源使用。

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