美光DDR5記憶體現可支援第4代 AMD EPYC 處理器

美商記憶體大廠美光宣布為資料中心所打造的DDR5 DRAM記憶體現已上市，並可支援已為全新AMD EPYC 9004系列處理器進行驗證的資料中心。

美光表示，因應伺服器採用更多核心架構，美光DDR5 提供比前幾代更高的頻寬，提升可靠性及擴展性，進而緩解效能瓶頸。

美光強調第4 代AMD EPYC 處理器與美光 DDR5 的組合在 STREAM 測試基準上提供高達 2倍的記憶體頻寬，並在特 HPC工作負載上實現高達 2 倍的性能提升，如計算流體力學（OpenFOAM）、天氣研究和預報（WRF）建模及 CP2K 分子動力學。

美光資深副總裁暨運算和網路事業部總經理 Raj Hazra 表示，美光持續引領業界向 DDR5 轉型，日趨依賴記憶體的演算法需要更強大的記憶體性能及可靠性，才得以從大量數據中獲得洞見資訊。DDR5 將系統記憶體能力向前邁進一大步，以支持這些演算法運作，並持續為下一代資料中心基礎架構創造全新價值。

AMD EPYC 產品管理企業副總裁 Ram Peddibhotla 表示，第 4 代 AMD EPYC 處理器不斷提升現代資料中心工作負載性能的標準，同時提供卓越的功耗效率。第 4 代 AMD EPYC 處理器將透過加速實現價值、降低總體擁有成本以及幫助企業實現永續發展目標，促進客戶資料中心營運轉型。

美光也與AMD合作，在搭載美光DDR4的第3代 AMD EPYC 處理器及搭載美光 DDR5 的第 4代 AMD EPYC 處理器上針對三種 HPC 工作負載（OpenFOAM、WRF 和 CP2K）進行評估，並發現搭載美光 DDR5 的第 4 代 AMD EPYC 處理器平台可使 OpenFOAM 的性能提升 2.4 倍、使 WRF 性能提升 2.1 倍，使 CP2K 提升 2.03 倍。

聯想基礎設施解決方案事業部高效能運算與人工智慧技術副總裁 Scott Tease 表示，HPC 和 AI 中的建模、模擬、機器學習工作負載的持續成長，意味著聯想的客戶所需的記憶體解決方案能夠極大化有效頻寬。聯想透過與美光從開發到驗證階段全面的合作，並將這些高性能需求的工作負載納入考量，造就了次世代平台的誕生，藉由DDR5 加速實現記憶體效能的新紀元。