本文共828字
美光宣布，LPDDR5X 行動記憶體在獲高通新旗艦智慧型手機晶片繞龍（Snapdragon） 8 Gen 2 納入主架構設計後，目前這款記憶體已量產出貨，將有助於第一款內建 LPDDR5X 的手機達到最高速度。
美光，表示，最新推出的 LPDDR5X 專為高階及旗艦智慧型手機打造，峰值傳輸率達 8.533Gbps，不僅比前一代產品 LPDDR5 提升 33%[1]，也比去年秋天所支援的 7.5 Gbps 傳輸率更能滿足高頻寬、高數據量用途對高性能行動記憶體的需求。
美光資深副總裁暨行動事業部總經理Raj Talluri表示，如今智慧型手機能實現 5G、AI 等技術，且能存取大量數據，超高速行動記憶體的功勞不容小覷，可說是手機創新的幕後英雄。目前美光最高速的 LPPDR5X 已量產並在全球舖貨，將帶動行動生態系研發新一代裝置以及各類超乎想像的應用。
美光於去年11月，領先推出 1α（1-alpha）製程製作出最快、最先進的行動記憶體 LPDDR5X 並送樣認證，繼先前推出業界第一款 LPDDR5、1α製程LPDDR4X、176 層 NAND 行動 UFS 3.1 和 uMCP5 解決方案之後又下一城。美光將持續推動市場加快採用 LPDDR5X，鞏固自身產品創新能力及行動生態系領導地位。
高通產品管理副總裁 Ziad Asghar 指出：「要想達到 Snapdragon 8 Gen 2 所標榜的光速上網、動態體驗以及劃時代效能，性能強悍的高速記憶體不可或缺。美光 LPDDR5X 記憶體可達 8.5 Gbps，前所未有的超高速率及能源效率，正能滿足高通晶片組所需。
美光針對下一波智慧型手機5G及AI體驗浪潮，打造行動記憶及儲存方案，滿足容量及運算能力需求的同時，也兼顧尺寸限制、成本效益及能源效率，而與全球智慧型手機及晶片組業者深入合作，更有助於美光將自身的低功率高性能解決方案、廣博的技術專業、致力創新的精神帶到整個行動生態系，幫助提供更佳體驗。
※ 歡迎用「轉貼」或「分享」的方式轉傳文章連結；未經授權，請勿複製轉貼文章內容
留言