美國出口管制升級 業界：大陸南韓記憶體廠衝擊大於台

美國商務部BIS對半導體產業的出口管制升級，部分限制措施仍有緩衝期，不過，依據相關管制規則更新，業界分析，除了中國大陸廠商首當其衝，估計韓系記憶體廠產地與終端應用衝擊大於台廠，同時晶圓代工韓廠三星因為來自中國大陸當地客戶占比較高，估計影響也將大於台積電（2330）（2330）。

依據美國BIS在7日更新規範顯示，除了UVL清單更新納入北方華創、長江存儲（YMTC）中科院化學研究所等單位，更具體擴大出口管制記憶體相關技術。

在記憶體部分，依據規範，明確列出限制18奈米以下DRAM記憶體晶片及128層數以上的NAND flash。業界分析，韓系廠商受干擾影響仍大於台廠，如記憶體大廠三星在中國大陸西安的NAND產能占總產能超過四成，SK海力士在無錫產能在總產能中也超過四成且主要供貨當地，預料首當其衝。

TrendForce分析也指出，除中國大陸長鑫存儲（CXMT）受到限制令影響，還有SK海力士位於無錫的DRAM生產基地C2廠。該廠占全世界總DRAM產能約13%，其製程轉進已演進到1Ynm及更先進製程，意即後續的持續新增投產所需設備都要有個案許可證。

在NAND Flash的部分，TrendForce也指出，未來進口中國大陸的NAND Flash生產設備將受更一步限制，尤其針對128層(含)以上設備要求事先核准才准進入，預估該法案將大幅衝擊中國大陸YMTC長期廠區升級計畫，以及三星西安廠、Solidigm在大連的製程轉進規劃。

TrendForce指出，此禁令將限制YMTC進一步擴大客戶版圖，現階段YMTC已積極送驗SSD產品，希望於2023年成功打入非中國大陸廠商客戶供應鏈。未來隨著禁令影響顯現，美國政府對中國大陸記憶體產業發展採取較嚴格的限制措施，將使得後續非中國大陸客戶對於YMTC的使用與意願大幅限縮。

在晶圓代工部分，業界分析，美國本身就持續限制中國大陸取得14/16奈米乃至更先進的FinFET/GAAFET邏輯晶片能力，大陸廠商本就無法生產先進製程，至於台廠的後續影響則需觀察在其他美國HPC相關客戶與供應商申請出口許可的變化，相關美系廠商申請出口許可早已有前例可循。

依據美國官方文件顯示，半導體製造項目限制在開放公眾意見（2022 年 10 月 7 日）後生效，對美國人民支持在某些位於中國大陸的半導體製造「設施」開發、生產或使用IC的能力的限制生效 則在5天後（2022年10月12 日）。

另外高速與超級運算相關控制以及規則中的其他更改則將在14天後（2022年10月21日）生效。對相關政策變化的公眾意見需在聯邦公報發布之日起60天內提出BIS。