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韓媒披露，全球第二大DRAM廠暨儲存型快閃記憶體（NAND Flash）SK海力士將大砍明年資本支出7~8成，知名半導體產業分析師陸行之先前曾點名還未宣布明年資本開支計畫的7家公司中，減少1家；陸行之表示，如果新聞內容是真的，「最後就看記憶體存儲器老大三星如何調整其資本開支了」。
在美光率先宣布下修明年度資本支出3成後，鎧俠也揭露日本廠區減產3成訊息，根據韓國媒體報導DRAM廠暨儲存型快閃記憶體（NAND Flash）二哥SK海力士將大砍明年資本支出7~8成，是目前傳出資本支出修正幅度最大的記憶體廠。
陸行之在臉書發文表示，雖然沒聽過這新聞來源 The Elec，也找不到這篇韓文新聞的英文版本，如果新聞內容是真的，最後就看記憶體存儲器老大三星如何調整其資本開支了。
陸行之再重申，大砍資本開支、降產能利用率是行業利空出盡的重要指標之一，從9/30開始，會定期更新哪些半導體龍頭率先採取資本開支調整行動；包括三星、Intel、T公司、英飛凌、德州儀器、STMicroelectronics及一些晶圓代工都還沒宣布其明年資本開支計畫。
陸行之表示，目前看起記憶體存儲器行業率先發難，半導體設備龍頭公司2023年營收明顯會受到影響，ASML 受影響應該明顯少於同業，記憶體存儲器設備營收占比由高到低排序是 Lam Research (35-40%營收占比)；Tokyo Electron (27-30）；應用材料 Applied Materials (25）。
陸行之說，各大媒體轉述 The Elec 引述業內人士報導 SK Hynix 將下調其明年設備訂單達70~80%；另外，9月30日美光預期2023年整體資本開支年減30%，設備資本開支年減50%。
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