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去化庫存 記憶體原廠罕見減產因應

本文共1091字

聯合報 記者簡永祥/台北即時報導

集邦科技今日發布最新調查顯示,因需求減弱,造成第3季旺季不旺,DRAM原廠包括美光、鎧俠紛展開減產DRAM和儲存型快閃記憶體(NAND Flash)。

集邦指出,繼美光上周宣告減產DRAM與NAND Flash,為首家正式下調產能利用率的記憶體大廠後,鎧俠(Kioxia)也公告自10月起減少NAND Flash產能利用率達30%。

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集邦強調,這反應記憶體廠庫存水位激增,且DRAM和NAND Flash價格跌勢擴大,其中NAND Flash市況比DRAM更嚴峻,主流容量wafer合約均價已跌至現金成本,逼近各原廠虧損邊緣,記憶體廠不得不減產因應。

集邦調查指出,在DRAM方面,目前的合約價格仍高過於各主流供應商的總生產成本,因此與NAND Flash相較,尚待觀察是否會有大幅減產的情形出現。美光除了提及當前在該領域有微幅下調產能利用率外,主要在強調2023年度資本支出的大幅下修,以及明年度DRAM生產位元年成長僅有約5%。

集邦認為,依照美光的說法,要達到如此保守的位元成長,代表產能利用率還有大幅下修空間,後續減產的執行程度仍待觀察。

在NAND Flash方面,美光原定自今年第四季起逐步放大232層產品比重,然隨著調降產能利用率決策落實,預估2023年美光主流製程仍會以176層為主,同時舊製程投片亦將減少。

鎧俠及威騰電子(WDC)原計畫在今年第4季起轉進至162層產品,因威騰對2023年資本支出表露放緩態度,在資金難以到位且需求能見度差的情況下,將大幅降低162層產品比重,無法達成原先於2023年取代112層產品成為主流的計畫。

集邦進一步指出,從2023年記憶體供需態勢分析,由於需求展望保守,因此DRAM與NAND Flash在各季度皆呈現大幅度供過於求狀態,2023上半年的庫存壓力將持續快速升高。

DRAM領域,美光率先宣布DRAM減產規劃將遠低於供給位元成長的歷史水位後,2023全年DRAM供過於求比例(Sufficiency Ratio)將由集邦原先預估的11.6%,收斂至低於10%,有助於改善快速惡化的庫存壓力,不過後續仍仰賴更多供應商加入DRAM實質減產行為,才能扭轉明年供需劣勢。

NAND Flash領域由於競爭者眾多,且製造方面未有逼近物理極限的限制,故收斂供給位元是當務之急。在美光、鎧俠供給位元成長皆下修的情況下,2023全年NAND Flash供過於求比例將由原先預估的10.1%,大幅下降至5.6%,在更多NAND Flash供應商在虧損考量加入減產行列的預期下,庫存壓力可望在2023年第2季有所緩解,價格跌幅預計在2023下半年出現收斂。

日本NAND Flash大廠鎧俠,本月加入減產行列。(路透)
日本NAND Flash大廠鎧俠,本月加入減產行列。(路透)

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