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跟進美光!鎧俠減少NAND Flash產能利用率30%

本文共1058字

經濟日報 記者林思宇/即時報導

根據集邦(TrendForce)調查顯示,美光(Micron)已宣告減產DRAM與NAND Flash,為首家正式下調產能利用率的記憶體大廠。NAND Flash市況相較DRAM更嚴峻,隨著主流容量wafer合約均價已跌至現金成本,逼近各原廠虧損邊緣,鎧俠(Kioxia)自本月起減少NAND Flash產能利用率達30%。

去年第四季起受部分消費性電子需求走弱影響,導致記憶體價格進入下跌走勢,加上高通膨、俄烏戰事與防疫封控的衝擊,旺季不旺,致使庫存壓力已由買方端延伸至原廠。

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集邦表示,DRAM方面,目前的合約價格仍高過於各主流供應商的總生產成本,因此與NAND Flash相較,尚待觀察是否會有大幅減產的情形出現。美光除了提及當前在該領域有微幅下調產能利用率外,主要在強調2023年度資本支出的大幅下修,以及明年度DRAM生產位元年成長僅有約5%。

TrendForce認為,依照美光的說法,要達到如此保守的位元成長,代表產能利用率還有大幅下修空間,後續減產的執行程度仍待觀察。

NAND Flash方面,集邦表示,美光原定自今年第四季起逐步放大232層產品比重,然隨著調降產能利用率決策落實,預估2023年美光主流製程仍會以176層為主,同時舊製程投片亦將隨之減少。

集邦說,鎧俠及威騰電子(WDC)原計畫在今年第四季起轉進至162層產品,然由於威騰對2023年資本支出表露放緩態度,在資金難以到位且需求能見度差的情況下,將大幅降低162層產品比重,無法達成原先於2023年取代112層產品成為主流的計畫。

集邦分析,從2023年記憶體供需態勢分析,由於需求展望保守,因此DRAM與NAND Flash在各季度皆呈現大幅度供過於求狀態,2023上半年的庫存壓力將持續快速升高。

集邦表示,DRAM領域,在美光率先宣布DRAM減產規劃將遠低於供給位元成長的歷史水位後,2023全年DRAM供過於求比例將由原先預估11.6%收斂至低於10%,有助於改善快速惡化的庫存壓力,不過後續仍仰賴更多供應商加入DRAM實質減產行為,才能扭轉明年供需劣勢。

集邦表示,NAND Flash領域由於競爭者眾多,且製造方面未有逼近物理極限的限制,收斂供給位元是當務之急。在美光、鎧俠供給位元成長皆下修的情況下,2023全年NAND Flash供過於求比例將由原先預估的10.1%,大幅下降至5.6%,在更多NAND Flash供應商在虧損考量加入減產行列的預期下,庫存壓力可望在2023年第二季有所緩解,而價格跌幅預計在2023下半年出現收斂。

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