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兩因素衝擊 研調:記憶體原廠罕見開啟減產因應

本文共1130字

經濟日報 記者楊伶雯/即時報導

根據TrendForce調查顯示,自2021年第4季起受部分消費性電子需求走弱影響,導致記憶體價格進入下跌走勢。加上高通膨、俄烏戰事與防疫封控的衝擊,旺季不旺,庫存壓力已由買方端延伸至原廠;美光率先宣布減產DRAM與NAND Flash,為首家正式下調產能利用率的記憶體大廠。

TrendForce表示,NAND Flash方面,市況相較DRAM更嚴峻,隨著主流容量wafer合約均價已跌至現金成本,逼近各原廠虧損邊緣,鎧俠(Kioxia)繼美光後也公告自10月起減少NAND Flash產能利用率達30%。

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TrendForce說,DRAM方面,目前的合約價格仍高過於各主流供應商的總生產成本,因此與NAND Flash相較,尚待觀察是否會有大幅減產的情形出現。

美光除提及當前在該領域有微幅下調產能利用率外,主要在強調2023年度資本支出的大幅下修,及明年度DRAM生產位元年成長僅有約5%。TrendForce認為,依照美光的說法,要達到如此保守的位元成長,代表產能利用率還有大幅下修空間,後續減產的執行程度仍待觀察。

NAND Flash方面,美光原定自今年第4季起逐步放大232層產品比重,但隨著調降產能利用率決策落實,預估2023年美光主流製程仍會以176層為主,同時舊製程投片亦將隨之減少。

鎧俠及威騰電子(WDC)原計畫在今年第4季起轉進至162層產品,但由於威騰對2023年資本支出表露放緩態度,在資金難以到位且需求能見度差的情況下,將大幅降低162層產品比重,無法達成原先於2023年取代112層產品成為主流的計畫。

TrendForce強調,不排除更多原廠限縮位元產出,大規模減產才能扭轉2023年供需劣勢;從2023年記憶體供需態勢分析,由於需求展望保守,因此DRAM與NAND Flash在各季度皆呈現大幅度供過於求狀態,2023上半年的庫存壓力將持續快速升高。

DRAM領域,在美光率先宣布DRAM減產規劃將遠低於供給位元成長的歷史水位後,2023全年DRAM供過於求比例(Sufficiency Ratio)將由TrendForce原先預估的11.6%,收斂至低於10%,有助於改善快速惡化的庫存壓力,不過後續仍仰賴更多供應商加入DRAM實質減產行為,才能扭轉明年供需劣勢。

NAND Flash領域由於競爭者眾多,且製造方面未有逼近物理極限的限制,收斂供給位元是當務之急。在美光、鎧俠供給位元成長皆下修的情況下,2023全年NAND Flash供過於求比例將由原先預估的10.1%,大幅下降至5.6%,在更多NAND Flash供應商在虧損考量加入減產行列的預期下,庫存壓力可望在2023年第2季有所緩解,價格跌幅預計在2023下半年出現收斂。

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