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台積攻第三代半導體 態度積極

本文共507字

經濟日報 記者李孟珊/台北報導

台積電(2330)(2330)擁有先進製程優勢之際,也積極布局第三代半導體,與聯電、世界先進、力積電等同業共同搶食第三代半導體龐大商機。

晶圓代工四強在營運策略上,不僅要降低景氣循環帶來的衝擊,更要在5G射頻、人工智慧(AI)、高速運算(HPC)、汽車電子化成長確立的趨勢下,先蹲好馬步練功,瞄準下一波的產業成長動能。

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台積電董事長劉德音曾提到,第三代半導體產值偏小,應用端以汽車領域為多,屬特殊技術,儘管現階段仍無法跟矽基(silicon base)半導體相比,不過台積電第三代半導體產出的量應該還是最大。

法人指出,台積電與IDM廠及IC設計業者合作,第一代矽基板氮化鎵(GaN on Si)技術平台,已於去年完成並進一步強化,支援多元應用,開發中的第二代矽基板GaN技術平台預計今年內完成。

聯電以轉投資聯穎光電投入第三代半導體,日前聯穎研發副總邱顯欽分析,聯電集團和台積電在第三代半導體發展策略並不相同,台積電聚焦的是氮化鎵(GaN)、主攻功率半導體,聯電則是功率與微波並進。

世界先進則是與設備材料、矽基板廠攜手合作,開發8吋新基板材料。世界認為,化合物半導體占半導體整體市值雖僅1%,但氮化鎵、碳化矽等新材料衍生的商機可期。

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