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高庫存衝擊 研調估Q4 DRAM價格跌幅擴大至13-18%

本文共1637字

經濟日報 記者楊伶雯/即時報導

據TrendForce研究顯示,在高通膨影響下,消費性產品需求疲軟,旺季不旺,第3季記憶體位元消耗與出貨量持續呈現季減,各終端買方因記憶體需求明顯下滑延緩採購,供應商庫存壓力進一步升高。同時,各DRAM供應商為求增加市占的策略不變,市場上已有「第3、4季合併議價」或「先談量再議價」的情形,都是導致第4季DRAM價格跌幅擴大至13~18%的原因。

PC DRAM方面,由於筆電需求疲弱,PC OEM仍將著重去化DRAM庫存,DRAM供應端在營業利益仍佳的前提下,未有實際減產情形,位元產出仍持續升高,供應商庫存壓力日益明顯。

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以DDR4與DDR5來看,第4季價跌預測都是13~18%,DDR5的跌價幅度將大於DDR4。但隨著DDR5的滲透率持續升高,加上單價較高的特性,第4季DDR5於PC DRAM領域的滲透率將提升至13~15%,整體PC DRAM(合併DDR5及DDR4)平均單價略有提升,預估第4季PC DRAM價格季跌約10~15%。

Server DRAM方面,由於新平台遞延導致伺服器終端降低採購server DRAM位元數,並預期第4季伺服整機出貨下滑,加上客戶端server DRAM庫存約9~12周屬偏高水位。同時,由於OEM及中國雲端服務供應商減緩拉貨力道,原廠轉以著重北美雲端服務供應商議價和量,但產出仍無法有效去化,使原廠庫存壓力持續攀升。

此外,除了原先第3季已談定的兩季度綁定合併議價外,亦不排除今年底賣方會再提供買方用更低的價格提前為明年第1季拉貨,第4季DDR4季跌幅恐因此深達13~18%。DDR5第4季將正式轉為量產狀態,相較前一季的樣品價會下跌25~30%,但量產初期滲透率僅約5%,對整體server DRAM(合併DDR5及DDR4)均價影響有限,預估第4季server DRAM跌幅約13~18%。

Mobile DRAM方面,智慧型手機品牌持續調節mobile DRAM庫存,預期至第3季底庫存水位仍有7~9周,且銷售市場仍存變數,品牌也不斷向下修正年度生產目標,更加劇mobile DRAM庫存去化難度。

隨著各廠先進製程比重持續拉高,貢獻mobile DRAM位元產出上升,原廠的合併下半年的議價策略並未奏效,品牌客戶需求未因此提升。儘管第4季有蘋果新品提振市場需求,但因先前積累的庫存壓力仍在,加上第4季供給仍有增加,原廠庫存壓力更甚,勢必加大降幅以提升客戶採購意願,預估第4季mobile DRAM價格跌幅約13~18%,且可能持續擴大。

Graphics DRAM方面,TrendForce預期,graphics cards將再出現降價,但終端的各類促銷手段也僅能去化原有庫存,對帶動新需求的幫助有限。受買方進行庫存調節影響,GDDR6 8Gb與16Gb需求皆同步弱化,即便DRAM供應商在第3季已降價但無法刺激買方的採購量,原廠graphics DRAM庫存持續堆高,連帶原先的投片量陸續產出,形成更大的壓力。

以第4季來看,雖然GDDR6 8Gb供應商僅剩Samsung與SK hynix兩家,但因龐大庫存壓力影響,使得雙方將無法避免地進行削價競爭的搶單行為,GDDR6 8Gb第4季的跌幅恐高於GDDR6 16Gb,價格跌幅約10~15%。

Consumer DRAM方面,雖網通端受惠於短料緩解,及歐美地區的基礎建設升級,使consumer DRAM出貨量較為穩定,但難以弭平來自其他終端產品的需求下滑;且正值價格下行周期,客戶皆將庫存保持在健康水位,並未積極備貨,預期consumer DRAM需求仍疲弱。

受到全年智慧型手機生產量下修波及,影像感測器(CIS)需求亦同步下滑,韓廠因此放緩舊製程(DDR3/DDR4)轉進CIS的步伐,導致consumer DRAM位元產出持續放量,庫存壓力難以削減。由於供過於求情形未緩解,第4季DDR3與DDR4季跌預估為10~15%,整體consumer 第4季價格跌幅為10~15%。

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