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漢磊、嘉晶多元布局 推進技術

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經濟日報 記者李孟珊/台北報導

國內第三代半導體兩巨頭漢磊(3707)(3707)、嘉晶深耕第三代半導體報捷之際,因應電子產品多樣化且效能與規格要求更高的趨勢,同步展開多元布局,持續推進更具競爭力的技術,包括當紅的絕緣柵雙極電晶體(IGBT)、二極體和複合雙載子互補金屬氧化物半導體(BiCMOS)以及BCD等製程.陸續邁入收成。

業界人士表示,今年以來雖然消費性電子需求降溫,大幅影響客戶端晶片拉貨動能,不過在5G基礎建設、車用及工控與高速運算(HPC)等需求續強下,國際整合元件廠(IDM)持續擴大功率半導體委外代工,使得漢磊及嘉晶接單強勁,營運逆勢飛揚。

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漢磊除了持續推進市場關注的第三代半導體布局之外,功率IC方面也擴大到高功率和高壓CMOS(互補式金屬氧化物半導體)等製程,結合Bipolar(雙載子積體電路)、CMOS與DMOS元件在高壓、高電流等優點,推出適合IC的BCD製程,有利於電源轉換管理、LED照明、功率放大器和汽車電子等市場。

分離功率元件方面,漢磊從傳統的矽基MOSFET切入市場,延伸到IGBT與FRED元件,並導入VDA6.3投入車用產品布局。

嘉晶則說,電動車、綠能、5G等相關應用蓬勃發展,未來幾年半導體市場規模勢必持續擴大,加上更高的能源效率要求,驅動功率半導體質與量的提升,嘉晶生產的矽磊晶產品及化合物半導體磊晶產品,是製作功率半導體不可或缺的原料,正向看待磊晶產品需求成長態勢。

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