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華邦電DRAM明年挺進20奈米

本文共994字

聯合報 記者簡永祥/台北即時報導

記憶體大廠華邦電(2344)(2344)今日舉行線上法說會,總經理陳沛銘表示,受到設備交期延誤及缺工影響,華邦電高雄廠量產時程,將由原訂今年底,延至明年2月,但第一階段月產1萬片的目標仍會如期完成,優先切入25s製程,也相當業界的20奈米製程,生產主流DDR4 DRAM產品。

至於法人關注記憶體庫存調整,陳沛銘表示,市場將於本季加速庫存調整速度,預料第4季末將會進入尾聲,庫存會回到合理水準。但他強調,仍須密切觀察疫情、俄烏戰爭及通膨等相關變數。

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陳沛銘表示,華邦電上半年儲存記憶體和DRAM占比約為55比45,下半年隨DRAM產出逐步提升,DRAM占比會微幅提高,不過DRAM占比會有較大提升,得到明年。

他強調,華邦電高雄廠導入先行導入25s製程,目前已在台中廠試產,良率有相當好的表現,公司相信高雄廠若完成裝機,將會很快達到量產水準,不過受到設備交期延誤,以及缺工影響,原訂今年底建置1萬片產能的目標,將會延至明年2月。

陳沛銘表示,這不是華邦電因市況而調整產能規畫,完全是受設備延誤影響,華邦電建置計如期進行,雖設備延至明年2月全數到貨,但華邦電會很快達到月產1萬片量產目標。

陳沛銘表示,配合高雄廠量產,華邦電明年製程即可推進20奈米,導入25s生產DDR4 4Gb DRAM。並進一步推至20最未代2Z製程,縮小晶粒尺寸,迎合輕薄短小應用。

陳沛銘強調,華邦電仍會鎖定利基型產品,他預估DDR3和DDR4仍會並存好幾年。

至於明年另一利器是會強攻45奈米製程超低功耗的1.2伏的SPI 編碼型快閃記憶體,這項產品獲得產品高度關注,是應用在物聯網的超強利器。

華邦電今日也公布第2季財報,受惠新台幣貶值助攻,業外收益進補,單季稅後純益 51.53 億元,季增 13.05%,年增 54.47%,每股純益 1.29 元,改寫新高;上半年每股純益2.44 元。

華邦電第2季營收 266.47 億元,季增 0.5%,毛利率 48.37%,季減0.2 個百分點,年增 6.2個百分點,營益率 21.8%,季減2個百分點,年增3.4個百分點;稅後純益 51.53 億元,季增13.1%,年增 54.5%,每股純益1.29 元。

華邦電上半年營收531.61 億元,毛利率48.47%,年增 8.38 個百分點,營益率 22.77%,年增7.9個百分點;稅後純益97.12億元,年增 97.3%,每股純益2.44 元。

華邦電總經理陳沛銘。圖/聯合報系資料照片
華邦電總經理陳沛銘。圖/聯合報系資料照片

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