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創意、台積電、海力士成功開發第3代高頻寬記憶體

本文共414字

中央社 記者張建中新竹7日電

IC設計服務廠創意今天宣布,與台積電及SK海力士(Hynix)合作,成功開發第3代高頻寬記憶體(HBM3)平台,傳輸速度可達7.2Gbps。

創意今天發布新聞稿,宣布與台積電及SK海力士的合作成果。創意副總經理徐仁泰表示,創意的HBM3控制器和實體層,是奠基於過去在CoWoS/HBM2產品上長久以來的量產經驗。

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徐仁泰指出,傳輸速度可達7.2Gbps,使得創意能隨時因應客戶對速度持續不斷升級的要求,協助客戶順利開發中央處理器、繪圖處理器、人工智慧及網路產品並快速量產。

創意表示,正在申請專利的中介層布線,支援任何角度的鋸齒形布線,並可將HBM3 IP拆分至兩個系統單晶片(SoC)上使用,還支援台積電的矽中介層(CoWoS-S)及有機中介層(CoWoS-R)技術。

SK海力士指出,透過這次合作,確認與創意在HBM生態系統內的合作關係,並驗證先進的HBM3解決方案,鞏固雙方於動態隨機存取記憶體(DRAM)市場的領導地位。

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