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聯電星國擴產 租地建廠房

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經濟日報 記者李孟珊/台北報導

聯電擴產腳步不停歇,昨(6)日公告新加坡新廠將以租地委建方式興建Fab12i P3廠房,契約相對人為亞翔新加坡分公司,契約總金額88.13億元,供生產使用。

據了解,聯電Fab12i P3廠房位於新加坡白沙晶片園(Pasir RisWafer Park),聯電先前已公告,向JTC集團取得11萬1750平方公尺土地30年使用權,估計總金額9.54億元。

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根據聯電規劃,新廠第一期月產能3萬片,預計2024年底量產,以22奈米及28奈米製程為主力,支應5G、物聯網和車用電子需求,新廠總投資金額50億美元(約新台幣1,500億元)。

資本支出方面,聯電維持原本投資計畫,今年資本支出倍增至36億美元,南科Fab 12A的P5廠區擴建產能在第2季已進入量產,可望挹注第3季營收動能,將有助於供應過往無法滿足的28奈米需求缺口。

另外,聯電先前也宣布,除了在新加坡Fab 12i擴建的新廠計畫外,亦與車用電子大廠日本電裝(DENSO)策略合作,在聯電日本12吋廠USJC(Fab 12M)生產車用絕緣閘雙極電晶體(IGBT),可望打進日系車廠的車用電子及電動車供應鏈。

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