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瞄準2030 科技部首注資源強化次世代化合物半導體實力

本文共775字

經濟日報 記者劉秀珍/即時報導

政府今年擴大第三類半導體(大陸稱第三代半導體)技術研發,科技部首度投注資源,月前舉行「次世代化合物半導體前瞻研發專案計畫」啟動會議,邀請50餘位相關學者針對台灣因應通訊需求的B5G/6G高頻元件、電動車及高效能元件領域,貢獻心力並精進技術,為加速第三類半導體產業發展加把勁。

化合物半導體被認為極適合用於新興應用中,如通訊 5G/6G、電動車及快速充電等高效率電力電子中,目前主流次世代化合物半導體以氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)為主,國際上常以「寬能隙(wide bandgap)半導體」稱之,更適合用於製作高功率及高速操作的電子元件及系統。

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目前氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)主要看好的市場,為未來 B5G/6G 與電動車發展,這次科技部的專案將聚焦在這些重點的研發,並擴展到電源、混合動力、高頻系統等應用。

參與專案計畫的光電科技工業協進會指出,科技部積極推動國內學界自主研發寬能隙半導體技術,讓產業在先進寬能隙元件技術上取得先機,並培育國內次世代化合物半導體的基礎材料、元件和系統應用人才,科技部工程司特別規劃「次世代化合物半導體前瞻研發專案計畫」,協助學界挑戰次世代化合物半導體關鍵技術極限,也提升我國化合物半導體自主研發的能量,進一步強化台灣在2030年次世代化合物的半導體實力。

專案計畫啟動會議採線上舉行,由清華大學特聘教授徐碩鴻主持,科技部工程司司長李志鵬受邀致詞。這次的研發專案共有六大計畫,分別由國家研究院半導體研究中心、中央大學、陽明交通大學以及台灣大學等研究團隊負責,將積極參與國際相關活動,以提升團隊在國際的影響力。

專案計畫也將結合產官學界的研發能量,把成果技轉給業界,貢獻給台灣化合物半導體產業。光電協會則在台灣化合物半導體產業人才培育、技術精進及國際鏈結等三塊領域,扮演整合與推動者的角色,以協助業者搶占國際市場商機。

電動車興起,加速次世代半導體的發展與廣泛應用。美聯社
電動車興起,加速次世代半導體的發展與廣泛應用。美聯社

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